تحقیق در مورد نقش شرکتهای کوچک و متوسط در ایجاد اشتغال مولد و تقویت کارآفرینی

اختصاصی از فی دوو تحقیق در مورد نقش شرکتهای کوچک و متوسط در ایجاد اشتغال مولد و تقویت کارآفرینی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 26

چکیده:

ارابة فناوری اطلاعات و ارتباطات در شرکتها به سرعت به پیش می‌تازد و جوامع دنیا را دستخوش تغییرات بنیادی می‌کند. فعالیت‌ها، مشاغل، مهارت‌ها، فرهنگ‌ها، نیازها و... همه و همه تحت تاثیر این فناوری قرار گرفته و متحّول شده‌اند. عصر اطلاعات و اتباطات آغاز شده است. بی‌شک کارآفرینی سهم عمده و نقش ویژه‌ای در توسعه این فناوری‌های شرکتها داشته و دارد؛ اگرچه این فناوری‌ها نیز خود بر کارآفرینی تاثیر گذار بوده و به عبارتی کارآفرینی مدرن را بوجود آورده‌اند.

این مقاله به بررسی روابط متقابل کارآفرینی در شرکتها پرداخته و با مثال‌هایی ویژگی‌های کارآفرینی در عصر اطلاعات و ارتباطات را تبیین نموده است. همچنین پیشنهاداتی برای گسترش کارآفرینی اطلاعات در کشور یا بهره‌برداری مناسب از آن نیز، در این مقاله ارائه شده است.

مقدمه

کارآفرینی یک فرایند پویا مشتمل بر فرصت ها ، افراد ، شرایط و ساختارهای سازمانی ، ریسک ها ، نوآوری و منابع می باشد. به عنوان یک فرایند ، کارآفرینی قابل اجرا در تمام انواع و اندازه های سازمانی است.

زمانی که بافت های کارآفرینی ، سازمان می باشد صحبت از کارآفرینی سازمانی است. که مشتمل بر فعالیت های رسمی و غیر رسمی ایجاد یک کسب و کار در سازمان بدون توجه به اندازه و بزرگی سازمان ، دولتی یا غیر انتفاعی بودن سازمان و یا سازمانی که حس خلاقیت و نوآوری را از دست داده است ، می باشد. از زمانی که بسیاری از نویسندگان ادبیات کسب و کار و تجارت ، بر شرکت های بزرگ تاُکید نموده اند اصطلاح کارآفرینی شرکتی بسیار برجسته شده است.

پینکات پدیده کارآفرینی درون یک سازمان را به عنوان "Intrapreneurship" توصیف می کند. سه اصطلاح کارآفرینی شرکتی (Corporate Entrepreneurship) ، کارآفرینی سازمانی (Organizational Entrepreneurship) و Intrapreneurship که مترادف و هم معنی یکدیگر می باشند هر سه در متون سازمانی بکار برده شده اند.فرایند کارآفرینی (بدون درنظر گرفتن اینکه توسط

ترمیم و تقویت سازه های بتنی 22 صفحه

اختصاصی از فی دوو ترمیم و تقویت سازه های بتنی 22 صفحه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

ترمیم و تقویت سازه های بتنی 22 صفحه (فایل word قابل ویرایش می باشد)

چکیده
دیوار برشی فولادی برای مقاوم سازی ساختمان های فولادی در حدود 15 سال اخیر مورد توجه خاص مهندسان سازه قرار گرفته است. ویژگی های منحصر به فرد آن باعث جلب توجه بیشتر همگان شده است ، از ویژگی های آن اقتصادی بودن ، اجرای آسان ، وزن کم نسبت به سیستم های مشابه ، شکل پذیری زیاد ، نصب سریع ، جذب انرژی بالا و کاهش قابل ملاحظه تنش پسماند در سازه را می توان نام برد. تمام دلایل ما را به این فکر آن وا داشت که استفاده از آن را درترمیم ساختمان های بتنی مورد مطالعه قراردهیم. چون این سیستم دارای وزن کم بوده ، به سازه بار اضافی وارد نکرده و حتی با اتصالاتش باعث تقویت تیر وستونهای اطراف خود می شود. همچنین این سیستم نیازی به تجهیزات خاص ندارد و می توان بدون تخلیه ساختمان و تخریب اعضا سازه ای به بقیه اجزای سازه ای وصل شود. البته طراحی این سیستم در ساختمان های بتنی بغیر از حالت ترمیمی اقتصادی به نظر نمی آید. در این مقاله توضیحات اولیه ای از دیوار برشی فولادی جهت آشنایی بیشتر ارائه شده ، و در قسمت های بعدی بررسی رفتار پانلهای برشی فولادی LYP1 در تقویت وترمیم سازه های بتنی مورد مطالعه قرار خواهد گرفت و تفاوت آن با سیستم بادبندی مشابه مورد توجه قرار خواهد گرفت ، و در آخر نتایج آزمایشات بررسی خواهند شد.
1- مقدمه
دیوارهای برشی فولادی SSW2 برای گرفتن نیروهای جانبی زلزله و باد در ساختمان های بلند در سالهای اخیر مطرح و مورد توجه قرار گرفته است . این پدیده نوین که در جهان به سرعت رو به گسترش می باشد در ساخت ساختمان های جدید و همچنین تقویت ساختمان های موجود به خصوص در کشورهای زلزله خیزی همچون آمریکا و ژاپن بکار گرفته شده است . استفاده از آنها در مقایسه با قابهای ممان گیر تا حدود 50% صرفه جویی در مصرف فولاد را در ساختمان ها به همراه دارد.
دیوار های برشی فولادی از نظر اجرائی ، سیستمی بسیار ساده بوده و هیچگونه پیچیدگی خاصی در آن وجود ندارد . لذا مهندسان ، تکنسین ها و کارگران فنی با دانش فنی موجود و بدون نیاز به کسب مهارت جدید می توانند آنرا اجرا نمایند . دقت انجام کار در حد دقت های متعارف در اجرای سازه های فولادی بوده و با رعایت آن ضریب اطمینان اجرائی به مراتب بالاتر از انواع سیستم های دیگر می باشد . با توجه به سادگی و امکان ساخت آن در کارخانه و نصب آن در محل ، سرعت اجرای سیستم بالا بوده واز هزینه های اجرائی تا حد بالایی زیادی کاسته می شود .
سیستم از نظر سختی برشی از سخت ترین سیستم های مهاربندی که X شکل می باشد ، سخت تر بوده و باتوجه به امکان ایجاد باز شو در هر نقطه از آن ، کارائی همه سیستم های مهاربندی را از این نظر دارا می باشد .
همچین رفتار سیستم در محیط پلاستیک و میزان جذب انرژی آن نسبت به سیستم های مهار بندی بهتر است . در سیستم دیوار های برشی فولادی به علت گستردگی مصالح و اتصالات ، تعدیل تنش ها به مراتب بهتر از سیستمهای مقاوم دیگر در برابر بارهای جانبی مانند قاب ها وانواع مهاربندی که معمولأ در آنها مصالح به صورت دسته شده و اتصالات متمرکز می باشند ، صورت گرفته و رفتار سیستم بخصوص در محیط پلاستیک مناسب تر می باشد .

فهرست مطالب
• چکیده
• مقدمه
• آزمایش های مختلف انجام شده و نتایج حاصل از انها
• نتیجه گیری کلی
• مراجع

تحقیق در مورد غذاهای تقویت کننده حافظه (2)

اختصاصی از فی دوو تحقیق در مورد غذاهای تقویت کننده حافظه (2) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود در "پایین مطلب"

فرمت فایل: word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحات: 7

فهرست مطالب:

تغذیه و نگهداری قدرت حافظه

قرص های هوش

مکمل های غذایی و مغز

روشی سریع برای داشتن ذهنی فعال

تقویت کننده های ذهن

منبع

فرآیندهای زیادی باعث گرفتگی رگ های قلب، پیدایش سلول های سرطانی و آسیب شبکه ارتباطی اعصاب در مغز می شوند.

سبزیجات و میوه ها دارای مواد آنتی اکسیدانی هستند. مغز برای خنثی کردن رادیکال های آزاد نیاز به آنتی اکسیدان ها دارد. رادیکال های آزاد به سلول های عصبی آسیب می رسانند و عمل واسطه های شیمیایی اعصاب را مختل می کنند.

وقتی سن شما افزایش می یابد، قدرت دفاعی بدنتان ضعیف می شود، در نتیجه اثر تخریبی رادیکال های آزاد افزایش می یابد.

آنتی اکسیدان ها، حالت ارتجاعی رگ ها و قوت ضربان های قلب را حفظ می کنند. 20 درصد خون خارج شده از قلب به مغز می رود. هر چیزی که مانع از جریان خون به مغز شود، قدرت یادگیری و ذهنی فرد را کاهش می دهد.

دانلود مقاله کامل درباره تقویت کننده ها

اختصاصی از فی دوو دانلود مقاله کامل درباره تقویت کننده ها دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل: Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه :16

بخشی از متن مقاله

تقویت کننده:

یک آمپلی فایر قدرت منولیتیکی Si PCS-CDMA با 30%PAE در 1.9GH2 با استفاده از یک شمای بایاس کردن جدید.

چکیده:

یک آمپلی فایر قدرت (PA) منولیتیک Si برای سیستم ارتباطات شخصی (PCS)- CDMA قادر به ایجاد توان خروجی 28.2dBm با 30% بازده افزوده توان و 45dB نسبت توان کانال مجاور در 1.9GHz و 3.6V ولتاژ تغذیه برای اولین بار در این مقاله ارائه می شود. PA بکار گرفته شده در یک فرایند 30GHz-Bicmos از یک شمای بایاس قابل کنترل با امپدانس به منظور کنترل کلاس کاری و مقاومت بایاس طبقه خروجی استفاده می کند. برای مقایسه هر دو نتایج و داده های شبیه سازی شده و اندازه گیری شده نشان داده شده اند.

1- مقدمه

تقویت کننده های قدرت رادیویی (RF) منولیتیکی (PAS) برای کاربرد در گوشی موبایل از لحاظ نسبتی در قلمرو تکنولوژیهای GaAs بودند. کوششهائی برای طراحی PAS غیرخطی در هر دو باند فرکانس سلولی (900MHz) و باند فرکانس سیستم ارتباطات شخصی (1.96GHz) با استفاده از تکنولوژیهای Si صورت گرفته است. اخیراً PAS فرکانس زیاد خطی با استفاده از تکنولوژی ترانزیستورهای دو قطبی اتصال ناهمگن (HCBT) Sge در بالای دو باند بالا شرح داده شده اند.

PA برای کاربردهای دسترسی چندگانه تقسیم کننده کد (CDMA) در باند پایین باید بتواند 28dBm قدرت (توان) خروجی با PAE 30% (بازده افزوده توان) و 44.1dBc نسبت توان کانال مجاور (ACPR) ایجاد کننده در حالیکه CDMA AP در باند بالایی می تواند 30dBm قدرت (توان) خروجی با 41F% PAE و 46dBc- ACPR ایجاد کنند.

بهرحال مورد  اخیر هنوز یک راه حل ترکیبی است. بهره RFAS منولیتیک Si از لحاظ هزینه پایین مجتمع سازی با سایر مدارات وسیع و اصلی بر پایه Si دارای مزایائی است. تابحال هیچ گونه Si PCS-CDMA PA منولیتیکی گزارش نشده است.

شمای هدولاسیون سیستم CDMA نیازمند است که PA استفاده شده در گوشی بصورت زیادی خطی باشد و بنابراین طراحی یک PCS-CDMA PA منولیتیکی با کارآئی (بازده) زیاد است.

با استفاده از تکنولوژیهای Si به دلیل تلفات سوبسترا و پارازیتهای ذاتی زیادشان مشکل است.

یک Si PCS-CDMA PA منولیتیک قادر به ایجاد توان خروجی برابر با 28.2dBm با PAE 30%، ACPR - 45dBc و بهره 21.5dB در 1.9GHz و ولتاژ تغذیه 3.6V برای اولین بار در این مقاله شرح داده می شود. PA بصورت تراشه روی بورد اتصالی (COB) با قطعات نصب سطحی ارزان قیمت برای هر دو شبکه های تطبیق دهنده ورودی و خروجی ساخته شده است. نتایج از یک بورد آزمایشی RF-4 با استفاده از یک سیستم اندازه گیری  بدست آمده اند.

در بخش 2 یک شمای بایاس کردن مرسوم برای طبقه خروجی PA مورد بحث قرار گرفته است. یک شمای بایاس کردن کنترل شده با امپدانس برای PA  و مزایای آن نسبت به روش مرسوم در بخش 3 ارائه شده است. نتایج شبیه سازی شده و اندازه‌گیری شده PA با شمای بایاس کردن کنترل شده با امپدانس در بخشهای 4و5 به ترتیب داده شده اند. مطالب، در آخر، در بخش 6 نتیجه گیری شده است.

2- شمای بایاس کردن متداول

شکل 1 یک شکل شماتیک ساده شده یک PA شامل 2 طبقه امیتر مشترک (Q0,Q1) را نشان می دهد. شبکه تطبیق دهنده خروجی از خازنهای C3 تا C5، القاگرهای L2 و دو خط انتقال یعنی هادی های موج هم صفحه (CPWS) تشکیل شده است. شبکه تطبیق دهنده ورودی از خازنهای C6 و C7 و خط انتقال (یعنی CPW) ساخته شده است. طبقه ورودی از طریق یک مقاومت روی تراشه R6 با استفاده از ولتاژ بایاس V6 به منظور سادگی بایاس شده است. یک مدار آینه جریان متداول متشکل از Q2 و Q3 برای بایاس کردن طبقه خروجی مورد استفاده قرار گرفته است.

در شکل 1، Lgnd1 و Lgnd2 و Lgnd3، انداکتورهای زمین متشکل از سیمهای اتصالی هستند. L2,L­1 انداکتورهای خارج از تراشه می باشند. شبکه تطبیق دهنده بین طبقه ای از یک خازن روی تراشه L1,C1 ایجاد شده با استفاده از یک سیم اتصال و یک مدار فیبر مدار چاپی (PCB) تشکیل شده است. C2 یک خازن کنارگذر (bypass) خط روی تراشه می باشد.

شمای بایاس در مورد Q1 موجب ایجاد یک امپدانس سیگنال کوچک تقریباً ثابت (1MHz) داده شده به تبیین Q1 و یک کنترل تقریباً خطی جریان خاموش کللتور Q1 می شود و این در شکل 2 نشان داده شده است (با ). هنگامی که Q0 و Q1 در حالت کاری کلاس AB بایاس می شوند، بهرحال، امپدانس سیگنال کوچک آن که در 1.9GHz در بیس Q1 نشان داده می شود بصورت ظرفیتی (خازنی) بوده و خیلی از مشابه سیگنال کوچک آن بزرگتر می باشد (نشان داده شده در شکل 3)، در حالیکه توان خروجی PAS به ازاء سطوح سیگنال ورودی نیز نشان داده شده اند. می‌توان دید که در توان خروجی نزدیک به 60mw، PA شروع به اشباع شدن می کند و این ناشی از آن است که با افزایش قدرت (توان) خروجی، متوسط افت ولتاژ در دو سر امپدانس بایاس افزایش می یابد و این باعث کاهش در ولتاژ امیتر- بیس Q1 شده و بنابراین آنرا به سمت اشباع شدن می برد.

*** متن کامل را می توانید بعد از پرداخت آنلاین ، آنی دانلود نمائید، چون فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است ***

مقاله شبیه سازی شده با نرم افزار ADS با عنوان تقویت کننده کم نویز CMOS گیت مشترک با تکنیک Gm-Booating و P1dB بالا

اختصاصی از فی دوو مقاله شبیه سازی شده با نرم افزار ADS با عنوان تقویت کننده کم نویز CMOS گیت مشترک با تکنیک Gm-Booating و P1dB بالا دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تقویت کننده کم نویز (Low Noise Amplifier) نوعی خاصی از تقویت کننده های الکترونیکی  است. که در سیستم های مخابراتی برای تقویت سیگنال های گرفته شده از آنتن به کار می رود و اغلب در فاصله ی کمی از آنتن قرار می گیرد تا کاهش دامنه ی سیگنال در خطوط به حداقل ممکن برسد.استفاده از LNA سبب می شود که نویز طبقات بعد بوسیله ی بهره ی LNA کاهش یابد ولی نویز LNA به طور مستقیم در سیگنال دریافتی تزریق می شود. لذا یک شرط برای تقویت کننده ی کم نویز آن است که در حالی که سیگنال را تقویت می کند، نویز و اختلال بسیار کمی به آن بیفزاید تا بازیابی سیگنال در طبقات بعد به نحو مطلوب صورت گیرد. 

این مقاله در سال 2014 در مجله Spinger به چاپ رسیده است. در این پروژه پارامترهای S و عدد نویز به دست آمده اند.

عنوان فارسی مقاله:

یک تقویت کننده کم نویز CMOS گیت مشترک با تکنیک Gm-Boosting و نقطه P1dB بالا.

عنوان انگلیسی:

A gm-boosted common gate CMOS low noise amplifier with high P1dB.

نویسندگان مقاله:

Sanghyun Woo

Jin Shao

Hyoungsoo Kim.

در ادامه فایل شبیه سازی و فایل مقاله برای دانلود قرار داده شده است.