اختصاصی از فی دوو دانلود متن کامل پایان نامه : اصول حفاری و حفاری در سنگهای سخت دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود متن کامل پایان نامه : اصول حفاری و حفاری در سنگهای سخت

بهمن ۲, ۱۳۹۳/

مطالب این پست : دانلود پایان نامه  با فرمت ورد (دانلود متن کامل پایان نامه)

 دانلود متن کامل پایان نامه به همراه تمام ضمائم (پیوست ها) : اصول حفاری و حفاری در سنگهای سخت 100 صفحه

پروژه پایان نامه دوره کارشناسی

دانشکده فنی

عنوان پروژه :

اصول حفاری و حفاری در سنگهای سخت

استاد راهنما : جناب آقای مهندس شکوفه

دانشجو : امیر طلازاد

چکیده………………………………………………………………………………………….. 3

مقدمه………………………………………………………………………………………….. 4

فصل اول

شاخصهای حفاری……………………………………………………………………………. 6

سختی………………………………………………………………………………………….. 6

سفتی…………………………………………………………………………………………… 7

سایندگی……………………………………………………………………………………….. 7

اندازه و یکنواختی دانه‌ها……………………………………………………………………… 9

جدایش………………………………………………………………………………………… 9                              

تقسیم بندی سنگها بر اساس شاخصهای حفاری……………………………………………. 10                

سنگهای آذرین ساینده……………………………………………………………………….. 11

سنگهای آذرین نیمه ساینده…………………………………………………………………… 11

سنگهای آذرین با سایندگی کم……………………………………………………………….. 12

سنگهای آذرین تجزیه ………………………………………………………………………. 12

سنگهای متامورفیک………………………………………………………………………….. 13

سنگهای متامورفیک سخت و ساینده…………………………………………………………. 13

سنگهای متامورفیک نیمه سخت و نیمه ساینده………………………………………………. 14

سنگهای متامورفیک نرم……………………………………………………………………… 14

سنگهای رسوبی……………………………………………………………………………… 14

سنگهای سخت سیلیسی………………………………………………………………………. 15

سنگهای رسوبی ساینده با سختی کم………………………………………………………… 15

شکننده اما ساینده…………………………………………………………………………….. 16

نسبتاً سخت اما فاقد خاصیت سایندگی………………………………………………………. 16

سنگهای رسوبی نرم و فاقد , خاصیت سایندگی…………………………………………….. 17

فصل دوم

مشخصات و پارامترهای سنگ برای حفاری ……………………………………………… 18

حفاری پذیری اولیه…………………………………………………………………………… 22

پارامترهای پیشرفت………………………………………………………………………… 23

پارامترهای خوردگی ابزار………………………………………………………………….. 24

دانه بندی……………………………………………………………………………………… 26

حفاری پذیری کلی‌…………………………………………………………………………… 27

خصوصیات جرم سنگ……………………………………………………………………… 27

قرار گرفتن ناپیوستگی‌ها……………………………………………………………………. 29

نتیجه گیری …………………………………………………………………………………. 30

فصل سوم

حفاری ضربه‌ای…………………………………………………………………………….. 31

3-1 حفاری کابلی……………………………………………………………………………. 32

3-1 الف) تمیز کردن چال…………………………………………………………………… 33

3-1 ب) نظریه حفاری کابلی………………………………………………………………. 35

3-1- ج) امتیازات حفاری کابلی…………………………………………………………… 38

3-1- د) نقاط ضعف و معایب این سیستم…………………………………………………… 39

3-2 دستگاه حفاری چکشی………………………………………………………………….. 40

3-2-1 اصول عملیات حفاری توسط این ماشین‌ها……………………………………….. 42

3-3 اندیس گذاری …………………………………………………………………………… 47

3-4 تولید و انتقال انرژی در سیستم حفاری ضربه‌ای…………………………………….. 50

3-4-1 اتلاف انرژی در طول لوله حفاری…………………………………………………. 54

3-5 انتقال انرژی در سطح تماس مته با سنگ از اولین موج ایجاد شده…………………. 56

3-6 تراست مورد نیاز در حفاری ضربه‌ای………………………………………………. 60

3-7 تأثیر شکل سرمته در حفاری ضربه‌ای………………………………………………… 62

آزمایشات تعیین مشخصات در سیستم حفاری ضربه‌ای…………………………………… 63

فصل چهارم

.سیستم حفاری چرخشی………………………………………………………………………. 69

4-1 حفر چال‌های انفجاری با استفاده از سیستم حفاری چرخشی…………………………. 71

4-2 عوامل مؤثر بر میزان نفوذ سرمته در داخل سنگ…………………………………… 72

4-3 سرمته‌های حفاری چرخشی……………………………………………………………. 78

4-4 انواع مختلف طراحی…………………………………………………………………… 79

4-5 اساس کار سرمته‌های مخروطی گردنده………………………………………………. 81

4-6 عمل فشارش و ایجاد شکست در سنگ………………………………………………… 83

4-7 آنالیز عمل متقابل سرمته و سنگ با در نظر گرفتن میزان انرژی ذخیره شده……… 87

4-7-1 عمل اولیه سرمته……………………………………………………………………. 87

4-7-2 عمل ثانویه سرمته………………………………………………………………….. 89

4-8 طوق چرخشی…………………………………………………………………………. 90

فصل پنجم

حفاری الماسه……………………………………………………………………………….. 93

5-1 انواع سرمته‌های الماسه………………………………………………………………. 95

5-1-1 سرمته‌های دارای قطعات الماس بر روی سطح بدنه…………………………….. 95

5-1-2 سرمته‌های دارای قطعات الماس در داخل ترکیب بدنه…………………………… 96

5-2 مقایسه هزینه ها در حفاری‌های الماسه………………………………………………. 97

5-3 لوله‌های مغزه‌گیری……………………………………………………………………. 99

5-3 الف) لوله‌های مغزه گیری انفرادی…………………………………………………. 100

5-3 – ب) لوله‌های مغزه گیری دو جدار………………………………………………… 101

5-3-ج) لوله‌های مغزه گیری دو جداره اصلاح شده……………………………………. 103

5-4 تکنیک حفاری با خطوط سیمی………………………………………………………. 105

5-4-1 سیستم حفاری سیمی………………………………………………………………. 105

5-4-2 پایداری چال در حفاری سیمی……………………………………………………. 107

5-4-3 رشته لوله‌های حفاری سیمی…………………………………………………….. 108

5-4-4 محفظه مغزه گیری در حفاری سیمی……………………………………………. 108

5-4-5 سیستم با قابلیت جمع شدن………………………………………………………… 109

5-4-6 امتیازات و مزایای سیستم حفاری سیمی………………………………………… 110

سرمته‌های مغزه گیری در حفاری سیمی………………………………………………… 111

5-5 هزینه‌ها………………………………………………………………………………. 111

5-6 محاسبات عملی در حفاری الماسه………………………………………………….. 112

5-7 نظریه حفاری بر مبنای عمل سایش………………………………………………… 115

5-8 تأثیر خواص سنگ در میزان نفوذ سرمته‌های الماسه نوع او.ل………………….. 119

5-9 سرمته‌های الماسه نوع دوم…………………………………………………………. 120        

حفاری به معنی نفوذ در سنگ است . نفوذ در سنگ گاهی به منظور خرد کردن آن انجام میگیرد .

به طور کلی صرف نظر از نوع روش و منشا انرژی ، عملیاتی را که به حفر چال در سنگ منجر می شود ، نفوذپذیری می نامند.

مواد معدنی زیربنای اقتصاد و صنعت در جامعه را تشکیل می‌دهند. بشر از همان آغاز آفرینش خود و در طول تاریخ، بر حسب نیازمندیها و شناخت از مواد معدنی استفاده کرده است. اکنون نیز انسان از تمامی مواد معدنی به حالت‌ها و شیوه‌های گوناگون بهر‌ه‌برداری می‌نماید. به دیگر سخن همین مواد معدنی هستند که پایه و اساس تمدن را تشکیل می‌دهند. عوامل مؤثر بر آستانه اقتصادی شدن مواد معدنی عواملی چون عرضه، تقاضا و مسائل سیاسی می‌باشد . میزان تولید مواد معدنی در دهه گذشته افزایش شایانی داشته است.

عواملی که موجب این افزایش می باشند عبارتند از : پیشرفت در تکنولوژی و روشهای حفاری ، پیشرف در زمینه اکتشاف به دلیل مشخص شدن منشاء محیط و چگونگی تشکیل ذخایر مختلف، مثلاً نظریه تکتونیک صفحه‌ای کمک‌های مؤثری در رابطه با کشف ذخایر مس پروفیری نمود‌ه ‌است . در دهه اخیر بکارگیری روش‌های نوین ژئوفیزیکی و ژئوشیمیایی در کشف ذخایر جیدد بخصوص آنهایی که در اعماق زمین قراردارند کمک مؤثری نمود. همچنین ماشینهای جدید استخراج موجب شده تا ذخایری که در اعماق قرار داشته قابل بهر‌ه‌برداری شوند و با کمک از این ماشین الات میزان تولید روزانه بالا رود. پیشرفت در زمینه صنعت تلغیظ و تصفیه موجب گردید تا بسیاری از ذخایر عمیق دور از دسترس نیز قابل بهر‌ه برداری شوند. همزمان با بالارفتن تولید، میزان مصرف موادمعدنی نیز افزایش داشته است.

از میان عوامل ذکر شده در فوق، در این متن به توضیح و بحث در خصوص روشهای حفاری، بخصوص حفاری در سنگهای سخت می پردازیم .

بطور کلی تاریخچه حفاری مبهم است ،اما از زمانهای دور، ملتهای متمدن به منظور دسترسی به آب و بعضی کریستالها،عملیات حفاری را انجام داده اند .

تا چند دهه قبل ،سیستم حفاری دستی جهت ایجاد چال برای احداث تونل در معدن متداول بود.

با گذشت زمان و نیاز به حفاریهای عمیق، روش دیگری از حفاری دستی بنام روش کابلی متداول شد که در آن طول مته بیشتر بود و برای ضربه زدن از کابل فولادی استفاده می شد .

پاره ای از تحولات در صنعت حفاری عبارتند از :

بین سالهای 1820-1810 ،سیستم حفاری چرخشی با استفاده از ماشین بخار

بین سالهای 1840-1830 سیستم حفاری کابلی با استفاده از ماشین بخار

بین سالهای 1860-1850 دستگاههای حفاری مجهز به الماس

بین سالهای 1880-1870 سیستم حفاری مغزه گیر مجهز به الماس

بین سالهای 1900-1890 سیستم حفاری ضربه ای چرخشی

بین سالهای 1940-1920 استفاده از مته های کربور تنگستن

بین سالهای 1975-1970 ماشین حفاری هیدرولیکی

در ذیل به شرح روشهای متداول حفاری پرداخته شده و همچنین سعی شده تا مزایا و معایب هر روش بطور جداگانه مورد بررسی قرار گیرد.

شایان ذکر است که اکثر منابع بکار رفته شده در این بررسی از سایتهای اینترنتی می باشد که آدرس آنها در پایان ضمیمه شده است .

متن کامل را می توانید دانلود کنید چون فقط تکه هایی از متن این پایان نامه در این صفحه درج شده است(به طور نمونه)

ولی در فایل دانلودی متن کامل پایان نامه

همراه با تمام ضمائم با فرمت ورد که ویرایش و کپی کردن می باشند

موجود است

آموزش سخت افزار کامپیوتر

اختصاصی از فی دوو آموزش سخت افزار کامپیوتر دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

آموزش سخت افزار کامپیوتر

پایان نامه دوره کارشناسی مهندسی سخت افزار کامپیوتر با موضوع وات متر ساده

اختصاصی از فی دوو پایان نامه دوره کارشناسی مهندسی سخت افزار کامپیوتر با موضوع وات متر ساده دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

چکیده:

     این پروژه مراحل ساخت و تکمیل یک وات متر ساده را نشان میدهد. سخت افزار این پروژه از قسمتهای به نام میکرو کنترلر،LCD ،برد و مقاومت تشکیل شده که در فصل اول درباره مهمترین قسمت یا همان حافظه دستگاه یعنی میکرو کنترلرAVR ودر فصل دوم درباره محیط کد نویسی BASCOM ومنوها ،در فصل سوم توضیحاتی درباره قطعات استفاده شده در پروژه داده شده ودر آخر فصل چهارم شکل شبیه سازی شده درمحیط PROTEUS ،برنامه و چگونگی عملکرد پروژه آورده شده است.

این سخت افزار مقدار جریان و ولتاژ مصرف کننده را به همراه توان مصرفی را بر روی LCD نمایش میدهد

کلید واژه: میکرو کنترلرAVR، LCD،RESISTANCE

فهرست

فهرست جدول ها ................................................................................................................................g

فهرست شکل ها...................................................................................................................................h

مقدمه.....................................................................................................................................................1

فصل اول :

مختصری راجع به AVR.......................................................................................................................3

بسته بندی میکرو کنترلرهایAVR......................................................................................................3

خصوصیات ATMEGA16,ATMEGA16L.........................................................................................6

بدنه یک برنامه بیسیک در محیط BASCOM................................................................................13

فصل دوم : .

معرفی منوهای محیطBASCOM........................................................................................................19

فصل سوم:

آشنایی با LCD...................................................................................................................................39

پیکر بندی LCD.................................................................................................................................42

اتصال پایه های مربوط به LCD...............................................................................................44

مقاومت......................................................................................................................................46

فصل چهارم:

شکل پروژه.................................................................................................................................50

برنامه..........................................................................................................................................51

عملکرد پروژه...........................................................................................................................54

فهرست مراجع......................................................................................................................55

فهرست جدول ها

عنوان                                                                                                                                       صفحه

فصل اول:

جدول 1-1 فرکانس و ولتاژ AVR ها..........................................................................................5

جدول 1-2 نوع بسته بندی AVRها..........................................................................................5

جدول 1-3 محدوده دمای کاری AVR ها...................................................................................5

جدول 1-4 بایت پر ارزش فیوزبیتهای میکرو............................................................................8

جدول 1-5 بایت کم ارزش فیوزبیتهای میکرو...........................................................................9

جدول 1-6 انتخاب مقدار حافظه BOOT توسط فیوزبیتهای BOOTSZ0,1........................10

جدول 1-7 انتخاب آدرس بردارریست توسط فیوزبیت BOOTRST.....................................10

جدول 1-8 انتخاب سطح ولتاژبرای مدار BROWN-OUT داخلی.......................................11

جدول انتخاب نوع داده...........................................................................................................13

فصل سوم:

جدول3-1ترکیب پایه های LCD............................................................................................42

فهرست شکل ها

عنوان                                                                                                                                       صفحه

فصل اول:

شکل 1-1 نمای گرافیکی بسته بنیدیهای AVR ..........................................................................4

شکل 1-2 انواع پسوندهای AVR بروی بسته بندی.....................................................................4

شکل ترکیب پایه ها.......................................................................................................................8

فصل دوم:

پنجره BASCOM ........................................................................................................................19

پنجره 2-1 محیط LCD DESIGNER ........................................................................................23

پنجره2-2 محیط GRAPHIC CONVERTOR .........................................................................25

پنجره 2-3 محیط شبیه سازی..................................................................................................25

پنجره 2-4 محیط شبیه سازی سخت افزار...............................................................................26

پنجره 2-5 نمایش رجیسترهای R0-R31 ................................................................................27

پنجره 2-6 نمایش رجیسترهای I/O ........................................................................................27

پنجره 2-7 نمایش VARIABLES..............................................................................................28

پنجره 2-8 نمایش متغیرهای محلی...........................................................................................28

پنجره 2-9 گزینه WATCH.....................................................................................................28

پنجره2-10 نمایش رجیستروضعیت.............................................................................................29

پنجره2-11 نمایش انواع وقفه ها.................................................................................................29

پنجره2-12 محیط برنامه ریزی.....................................................................................................30

پنجره2-13...................................................................................................................................30

پنجره2-14...................................................................................................................................30

پنجره 2-15 محیط TERMINAL EMULATOR ......................................................................32

شکل 2-1 مدار STK200/300 PROGRAMER .........................................................................34

شکل2-2 مدار STK200/300 PROGRAMER بهینه شده........................................................34

شکل2-3 مدار STK200/300 PROGRAMERساده شده.........................................................34

فصل سوم :

شکل اتصالLCD به میکرو ........................................................................................................44

دانلود پایان نامه کاردانی رشته سخت افزار کامپیوتر منابع غذایی سوئیچینگ

اختصاصی از فی دوو دانلود پایان نامه کاردانی رشته سخت افزار کامپیوتر منابع غذایی سوئیچینگ دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود متن کامل این پایان نامه با فرمت ورد word



 پایان نامه برای دریافت درجه کاردانی

در رشته مهندسی کامپیوتر گرایش سخت افزار



فصل اول- انواع منابع تغذیه ……..

1-1منبع تغذیه خطی ………………………………………….

1-1-1 مزایای منابع تغذیه خطی ……………………….

1-1-2 معایب منبع تغذیه خطی ……………………….

1-1-2-1 بزرگ بودن ترانس کاهنده ورودی …….

1-2 منبع تغذیه غیر خطی (سوئیچینگ) …………

1-2-1 مزایای منبع تغذیه سوئیچینگ ……………..

1-2-2 معایب منابع تغذیه سوئیچینگ …………….

فصل دوم – یکسوساز و فیلتر ورودی ………………………………………………….

2-1 یکسوساز ورودی …………………………………………..

2-2 مشکلات واحد یکسوساز ورودی و روش های رفع آن‌ها ………………………………….

2-2-1 استفاده از NTC ……………………………………

2-2-2 استفاده از مقاومت و رله …………………………

2-3-2 استفاده از مقاومت و تریاک …………………….

2-3-1 روش تریستور نوری ………………………………..

فصل سوم – مبدل های قدرت سوئیچنیگ ………………………………………….

3-1 مبدل فلای بک غیر ایزوله ………………………….

3-2 مبدل فوروارد غیر ایزوله ……………………………..

فصل چهارم – ادوات قدرت سوئیچینگ ………………………………………………

4-1 دیودهای قدرت …………………………………………….

4-1-1 ساختمان دیودهای قدرت ………………………

4-1-2 انواع دیود قدرت ………………………………………

4-1-2-1 دیودهای با بازیابی استاندارد یا همه منظوره ……………………………………………

4-1-2-2 دیودهای بازیابی سریع و فوق سریع …

4-1-2-3 دیودهای شاتکی ………………………………….

4-2 ترانزیستور دوقطبی قدرت سوئیچینگ ………

4-3 ترانزیستور ماس‌فت قدرت سوئیچینگ ………

فصل پنجم – مدارهای راه انداز ….

5-1 مدارهای راه‌انداز بیس ………………………………….

5-1-1 راه انداز شامل دیود و خازن ……………………

5-1-2 مدار راه انداز بهینه ………………………………….

5-1-3 راه اندازهای بیس تناسبی ………………………

5-2 تکنولوژی ساخت ترانزیستورهای ماس‌فت …

فصل ششم – واحد کنترل PWM ……………………………………………………..

6-1 نحوه کنترل PWM ……………………………………

6-2 معرفی تعدادی از مدارهای مجتمع کنترل کننده PWM ……………………………..

6-2-1 مدار مجتمع مد جریانی خانواده 5/4/3/842 (3) ……………………………..

6-2-2 مدار مجتمع کنترل کننده مُد جریانی از نوع سی‌ماس ………………….

6-2-3 مدر مجتمع مد ولتاژی P/FP 16666 HA ……………………………………………….

6-2-4 مدار مجتمع مد ولتاژی ………………

6-2-5 مدار مجتمع مد جریانی …………..

6-2-6 مدار مجتمع مد جریانی ……………

فصل هفتم – سوئیچینگ ولتاژ صفر و جریان صفر ………………………………..

7-1 سوئیچینگ ولتاژ صفر و جریان صفر ………….

7-2 مبدل فلای‌بک ولتاژ صفر ساده …………………..

7-3 مبدل های سوئیچینگ نرم ولتاژ صفر ………..

7-3-1 مبدل تشدیدی موازی …………………………….

7-3-2 مبدل تشدیدی سری ………………………………

7-3-3 مبدل تشدیدی سری –موازی ………………..

7-3-4 پل تشدیدی با فاز انتقال یافته ……………….

7-4 سوئیچینگ نرم جریان صفر ………………………..

فصل هشتم – تجزیه و تحلیل چند منبع تغذیه سوئیچینگ …………………

8-1 مدار مجتمع ……………………………………..

8-2 مدار مجتمع ……………………………………

8-3 مدار مجتمع P/FP 16666HA ……………….

8-4 مدار مجتمع ……………………………………

8-5 مدار مجتمع ……………………………………

8-6 مدار مجتمع TOPxxx …………………………….

فصل نهم – برخی ملاحظات جانمایی ……………………………………………………

مقدمه …………….

9-1 سلف ………

9-2 فیدبک …..

9-3 خازن های فیلتر …………………………………………..

9-4 مسیر زمین ………

9-5 چند نمونه طرح جانمایی …………………………….

9-6 خلاصه …..

9-7 فهرست قوانین طرح جانمایی ……………………..

چکیده :

کلیه مدارات الکترونیکی نیاز به منبع تغذیه دارند. برای مدارات با کاربرد کم قدرت از باطری یا سلولهای خورشیدی استفاده می شود. منبع تغذیه به عنوان منبع انرژی دهنده به مدار مورد استفاده قرار می‌گیرد. حدود 20 سال است که سیستمهایی پر قدرت جای خود راحتی در مصارف خانگی هم باز کرده اند و این به دلیل معرفی سیستمهای جدید برای تغذیه مدارات قدرت است.

این منابع تغذیه کاملاً خطی عمل می نمایند. این نوع منابع را منابع تغذیه سوئیچینگ می نامند. این اسم از نوع عملکرد این سیستمها گرفته شده است. به این منابع تغذیه اختصاراً SMPS نیز می گویند. این حروف برگرفته از نام لاتین Switched Mode Power Supplies است.

راندمان SMPS بصورت نوعی بین 80% الی 90% است که 30% تا 40% آنها در نواحی خطی کار می کنند. خنک کننده های بزرگ که منابع تغذیه گلوله قدیمی از آنها استفاده می کردند، در SMPS ها دیگر به چشم نمی خورند و این باعث شده که از این منابع تغذیه بتوان در توانهای خیلی بالا نیز استفاده کرد.

در فرکانسهای بالای کلیدزنی از یک ترانزیستور جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده می شود. با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور، دیگر خطی عمل نمی کند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید می‌نماید. به همین سبب در فرکانس کلیدزنی بالا از المان کم مصرف Power MOSFET استفاده می شود. اما با بالا رفتن قدرت، تلفات آن نیز زیاد می شود. المان جدیدی به بازار آمده که تمامی مزایای دو قطعه فوق را در خود جمع آوری نموده است و دیگر معایب BJT و Power MOSFET را ندارد. این قطعه جدید IGBT نام دارد. در طی سالهای اخیر به دلیل ارزانی و مزایای این قطعه از IGBT استفاده زیادی شده است.

امروزه مداراتی که طراحی می شوند، در رنج فرکانسی MHZ و قدرتهای در حد MVA و با قیمت خیلی کمتر از انواع قدیمی خود می‌باشند.

فروشنده های اروپائی در سال 1990 میلادی تا حد 2 میلیارد دلار از فروش این SMPS ها درآمد خالص کسب نمودند. 80% از SMPS های فروخته شده در اروپا طراحی شدند و توسط کارخانه های اروپائی ساخت آنها صورت پذیرفت. درآمد فوق العاده بالای فروش این SMPS ها در سال 1990 باعث گردید که شاخه جدیدی در مهندسی برق ایجاد شود.

این رشته مهندسی طراحی منابع تغذیه سوئیچینگ نام گرفت.

یک مهندس طراح منابع تغذیه سوئیچینگ بایستی که در کلیه شاخه‌های زیر تجربه و مهارت کافی کسب کند و همیشه اطلاعات بروز شده در موارد زیر داشته باشند:

1- طراحی مدارات سوئیچینگ الکترونیک قدرت.

2- طراحی قطعات مختلف الکترونیک قدرت.

3- فهم عمیقی از نظریه های کنترلی و کاربرد آنها در SMPS ها داشته باشد.

4- اصول طراحی را با در نظر گرفتن سازگاری میدانهای الکترومغناطیسی منابع تغذیه سوئیچینگ با محیط انجام دهد.

5- درک صحیح از دفع حرارت درونی (انتقال حرارت به محیط) و طراحی مدارات خنک کننده موثر با راندمان زیاد.

مقدمه :

منابع تغذیه سوئیچینگ امروزه و بخصوص از سال 1990 به این طرف جای خود را در تمامی دستگاه های الکتریکی و در صنایع الکترونیک، مخابرات، کنترل، قدرت، ماهواره ها، کشتی ها، کامپیوترها، موبایل، تلفن و … به دلیل ارزانی قیمت و کم حجم بودن و راندمان بالا باز کرده اند. به همین دلیل اکنون همه کشورهای جهان حتی در جهان سوم به طراحی و ساخت این نوع از منابع تغذیه پرکاربرد می پردازند. اما با این وجود متأسفانه هنوز این منبع تغذیه در ایران ناشناخته مانده و همه روزه مقدار زیادی از بیت‌المال المسلمین در راه ساخت منابع تغذیه غیر ایده‌آل و یا خرید این گونه منابع تغذیه سوئیچینگ از کشور خارج می شود.

فصل اول

انواع منابع تغذیه

منبع تغذیه خطی

منابع تغذیه خطی منابعی هستند که عنصر کنترل آن ها در ناحیه فعال از عملکرد خود قرار دارد. این عنصر به صورت سری یا موازی با بار قرار می گیرد و با دریافت فیدبک از خروجی، میزان ولتاژ و جریان بار خروجی را تنظیم می کند به گونه ای که ولتاژ خروجی در یک سطح از پیش تعیین شده ثابت باقی بماند. معمولاً عنصر کنترل در این دسته از منابع یک ترانزیستور دو قطبی است که با تنظیم جریان بیس آن میزان جریان رسیده به بار کنترل می شود. بلوک دیاگرام ساده شده این نوع منبع تغذیه در شکل نشان داده شده است.

1-1-1مزایای منابع تغذیه خطی

مزایای یک منبع تغذیه خطی به شرح زیر است:

1- پایداری زیاد.

2- نویزپذیری پایین.

3- تثبیت عالی.

4- نوسان کم خروجی.

1-1-2 معایب منبع تغذیه خطی

معایب یک منبع تغذیه خطی به شرح زیر می باشد:

1- بازده کم تر از 50% (در توان های نسبتاً زیاد). راندمان منبع تغذیه خطی معمولاً کم است دلیل آن افت ولتاژ و در نتیجه اتلاف توان در عنصر کنترل است.

2- حجم زیاد. یکی از معایب منبع تغذیه خطی حجم زیاد آن به ویژه در توان زیاد است. دلیل اصلی حجیم شدن این منابع دو عامل ذیل است:

الف) بزرگ بودن ترانس کاهنده ورودی

ب) نیاز به گرماگیرهای بزرگ به دلیل تلفات زیاد در عنصر کنترل

 1-1-2-1 بزرگ بودن ترانس کاهنده ورودی

همان گونه که بیان شد یکی از دلایل حجیم شدن منبع تغذیه خطی بزرگ بودن ترانس کاهنده ورودی آن می باشد. این ترانس به دلایلی نمی تواند از بلوک دیاگرام کنار گذاشته شود. ترانس سبب مجزاسازی مدار خروجی از ورودی می شود و از طرفی برای جلوگیری از تشعشع مدار و جلوگیری از نفوذ میدان های الکترومغناطیسی خارجی مجبوریم که زمین مدار را به بدنه منبع تغذیه خطی متصل کنیم و در صورت نبود ترانس خطر برق گرفتگی برای کاربر وجود دارد.

3- عدم توانایی فشرده سازی به ویژه برای بهره‌وری بالا.

4- زمان نگهداری نسبتاً کوچک.

منبع تغذیه خطی دارای زمان نگهداری بسیار کمی می باشد. منظور از زمان نگهداری مدت زمانی است که خروجی تغذیه علیرغم قطع بودن برق ورودی آن، هم چنان برقرار می ماند. اگر بخواهیم این زمان را افزایش دهیم باید ظرفیت خازن های ورودی را بسیار بزرگ در نظر بگیریم که طبعاً حجم زیادی اشغال می کند.

5- مناسب برای ولتاژهای کم.

این نوع منابع بیشتر برای ولتاژهای خروجی پایین به کار برده می‌شوند و این یکی از معایب منبع تغذیه خطی است که استفاده از آن در ولتاژهای زیاد مقرون به صرفه نیست.

1-2 منبع تغذیه غیرخطی (سوئیچینگ)

معایب منبع تغذیه خطی می تواند با استفاده از منبع تغذیه سوئیچینگ کاهش یافته و یا حذف شود. بلوک دیاگرام ساده شده یک منبع غیرخطی (سوئیچینگ) در شکل نمایش داده شده است.

 

 متن کامل را می توانید دانلود نمائید چون فقط تکه هایی از متن پایان نامه در این صفحه درج شده (به طور نمونه)

ولی در فایل دانلودی متن کامل پایان نامه

همراه با تمام ضمائم (پیوست ها) با فرمت ورد word که قابل ویرایش و کپی کردن می باشند

موجود است

مقاله آبکاری کرم سخت برای سطوح داخلی

اختصاصی از فی دوو مقاله آبکاری کرم سخت برای سطوح داخلی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

اولین تحقیقاتی که در مورد رسوب دادن کرم توسط جریان برق انجام شده به سالهای اولیه صنعت آبکاری برمی‎گردد. بطوریکه در سال 1854 گزارشی توسط ‎Robert wilhelm Bunsen مبنی بر بدست آوردن فلز کرم توسط الکترولیز محلول کرم مطرح شد بعد از این گزارش افراد زیادی بر روی این فرآیند کار کردند مانند ‎A.geuther که رسوب کرم را از الکترولیز محلول اسید کرمیک بدست آورد.

این تحقیقات آنقدر ادامه پیدا کرد تا در سال 1923 آبکاری کرم به صورت دستورالعمل در صنعت آبکاری مطرح شد. برای بالا بردن کیفیت این پوشش کوششهای فراوانی در زمینه‎های مختلفی انجام شده و هنوز هم ادامه دارد که از جمله می‎توان به غلظت محلول آبکاری، نوع و مقدار افزودنی به محلول، درجه حرارت محلول، شدت جریان آبکاری، عملیات قبل و بعد از آبکاری بر روی نمونه و موارد دیگر اشاره کرد. آبکاری کرم در مقایسه با روشهای دیگر آبکاری معایب زیادی دارد.

این معایب عبارتند از:

- بالا بودن درجه سمیت اسید کرمیک، که برای سلامت افراد و محیط زیست زیان‎آور است و برای مقابله با آن باید هزینه اضافه در نظر گرفت.

- راندمان بسیار کم شدت جریان با وجود حمامهای پتانسیل بالا، که این امر موجب مصرف انرژی بسیار زیادی شود. (در حدود صد برابر بیشتر از روشهای دیگر)

- انجام فرایند در شدت جریانهای بسیار بالا که این امر احتیاج به نبع شدت جریان و تبدیل‎کننده بسیار گران قیمت است.

- آزاد شدن مقدار قابل ملاحظه‎ای هیدروژن و اکسیژن و در هنگام عمل الکترولیز که باعث خارج شدن مواد شیمیایی با ارزش از محلول می‎شود.

- جذب بسیار بالای هیدروژن توسط پوشش و فلز زمینه که باعث تردی هیدروژنی محلول بدست آمده می‎شود.

- احتیاج به آند غیر محلول که در غیر اینصورت باعث ضایع شدن محلول آبکار می‎گردد لیکن علت استفاده از این پوشش در صنعت با وجود معایب فوق، خواص بسیار عالی و قابل توجه رسوب کرم نسبت به دیگر روشهای آبکاری می‎باشد. این خواص عبارتند از:

- سختی و مقاومت در مقابل سایش

- مقاومت در مقابل خوردگی و حرارت

- ضریب اصطکاک پایین و عدم چسبندگی با مواد

- خواص ظاهری و تزیینی

- خواص پارامغناطیسی

ضخامت پوشش کرم بستگی به نوع کاربرد آن در صنعت دارد. می‎توان این بستگی را به صورت زیر نشان داد:

1- پوشش ضخامت 12 میکرون. موارد استفاده این پوشش در صنعت بصورت زیر است:

الف: ابکاری قالبهای پلاستیک برای جلوگیری از خوردگی سطح قالب و همچنین سهولت جدا شدن مواد از سطح آن.

این مقاله به صورت  ورد (docx ) می باشد و تعداد صفحات آن 45صفحه  آماده پرینت می باشد

چیزی که این مقالات را متمایز کرده است آماده پرینت بودن مقالات می باشد تا خریدار از خرید خود راضی باشد

مقالات را با ورژن  office2010  به بالا بازکنید