فی دوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فی دوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

دانلود مقاله کامل درباره مطالعه عددی تاثیر میدانهای الکترو مغناطیس بر روی جدایی جریان در ایرفویل

اختصاصی از فی دوو دانلود مقاله کامل درباره مطالعه عددی تاثیر میدانهای الکترو مغناطیس بر روی جدایی جریان در ایرفویل دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود مقاله کامل درباره مطالعه عددی تاثیر میدانهای الکترو مغناطیس بر روی جدایی جریان در ایرفویل


دانلود مقاله کامل درباره مطالعه عددی تاثیر میدانهای الکترو مغناطیس بر روی جدایی جریان در ایرفویل

 

 

 

 

 

 

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل: Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه :46

 

فهرست مطالب :

مقدمه.....................................................................................................................

فصل اول- تعاریف مفاهیم به کار رفته در این گزارش....................................................................

فصل دوم: روش های حل معادلات توربولانس..................................................................................

     2-1 روش استاندارد .........................................................................................................

          2-1-1 معادلات حامل در مدل استاندارد ..........................................................

          2-1-2 مدل سازی لزجت مغشوش در مدل استاندارد ..................................

          2-2-3 ثابت‌های مدل استاندارد ....................................................................

     2-2 مدل RNG............................................................................................

          2-2-1  معادلات حامل در مدل RNG...........................................................

          2-2-2 مدل سازی لزجت موثر در مدل RNG.............................................................

          2-2-3 اصلاح چرخش در مدل RNG............................................................................

          2-2-4 محاسبه اعداد پرانتل معکوس موثر در مدل RNG.......................................

          2-2-5 ترم  در معادله ...........................................................................................

          2-2-6 ثابت های مدل RNG............................................................................................

     2-3 مدل هوشمند  .........................................................................................................

          2-3-1 معادلات حامل برای مدل هوشمند......................................................................

          2-3-2 مدل سازی لزجت مغشوش در مدل هوشمند..................................................

          2-3-3 ثابت های مدل هوشمند.........................................................................................

فصل سوم: تئوری مدل MHD................................................................................

     3-1 روش القای مغناطیس.........................................................................................

     3-2 روش پتانسیل الکتریکی .......................................................................................................

فصل چهارم: حل جریان و تاثیر نیروی لورنتس................................................................................

     4-1 ساده سازی معادلات ماکسول..............................................................................................

     4-2 نحوه ایجاد نیروی لورنتس موازی با جریان......................................................................

     4-3 شرایط مسئله و حل جریان..................................................................................................

     4-4 بررسی نتایج.............................................................................................

 جمع بندی و پیشنهادات..................................................................................................

مراجع.....................................................................................................................................

 

چکیده

در کار حاضر هدف ما بررسی تاثیر نیروی لورتنس ناشی از تداخل میدان های الکترومغناطیسی و میدان جریان سیال، بر روی جریان سیال یونیزه آب نمک از روی ایرفویل NACA0015 می‌باشد. در اثر تاثیر این نیروها دیده می‌شود که ضریب لیفت افزایش و ضریب درگ کاهش می یابد و همچنین زاویه استال افزایش می یابد.

با توجه به اثرات مثبت این پدیده بر جریان سیال، تحقیقات گسترده ای بر روی این روش انجام شده و در صنعت ساخت هواپیما و زیر دریایی می‌تواند گره گشای برخی نواقص باشد.

مقدمه

کنترل جریان بصورت دستکاری کردن میدان جریان برای ایجاد یک تغییر مطلوب تعریف می شود. جریان از روی یک جسم مانند سطح بیرونی هواپیما یا زیر در یایی را می­توان برای اهداف زیر دستکاری کرد:

1-به تاخیر انداختن گذار

2- به تعویق انداختن جدایش

3-افزایش لیفت

4- کاهش درگ فشاری و اصطکاک پوسته­ای 

روشهایی که برای نائل شدن به اهداف بالا مورد استفاده قرار می­گیرد را روشهای کنتر ل جریان می­نامند. دسته بندی‌های مختلفی برای روشهای کنترل جریان وجود دارد. گد-ال-هک [1] روشهای کنترل جریان را در چند بخش  تقسیم بندی کرده است. که برای مثال می توان به روشهای زیر اشاره کرد :

روشهایی که روی دیوار یا دور از آن اعمال می شود:

وقتی کنترل جریان روی دیوار اعمال می شود پارامترهای سطح شامل زبری، شکل سطح، تحدب، جابجایی دیوار، دما و تخلخل سطح برای ایجاد مکش ودمش می تواند روی نتایج نهایی که در بالا ذکر شد تاثیر بگذارد.گرم وسرد کردن سطح نیز می­تواند از طریق ایجاد گرادیانهای دانسیته و ویسکوزیته روی جریان تاثیر گذار باشد. همچنین روشهایی که دور از دیوار (سطح) اعمال می شوند  مانند بمباران کردن لایه­های برشی از طریق امواج آکوستیک از بیرون سطح، شکست ادیهای بزرگ بوسیله وسایلی که دور ازدیوارند روشهای مفید و سودمندی هستند.

روشهای اکتیو و پسیو:

روش دومی که برای دسته بندی روشهای کنترل جریان وجود دارد به روشهای اکتیو و پسیو موسومند. روشهای پسیو مانند تولید کننده های ورتکس، فلپ ها، ریبلت ها نیازمند مصرف انرژی نیستند. ولی روشهای اکتیو نیاز به انرژی مصرفی دارند مانند مکش و دمش، سطوح متحرک. روش اکتیو دیگری که برای کنترل جریان اطراف ایرفویل استفاده می شود هیدرو دینامیک مغناطیسی یا به اختصار MHD است که باعث افزایش لیفت و کاهش درگ می شود. جریان یک سیال الکترولیت در  داخل میدان­های الکتریکی و مغناطیسی باعث اعمال نیروهای حجمی (نیروهای لورنتس ) به ذرات سیال می گردد.

 از آغاز دهه 50 میلادی به بعد، نحوه بکار بستن این نیرو در صنعت هوافضا و مکانیک به عنوان یک بحث جدی موضوع تحقیقات جدی محافل علمی بوده است. ایجاد نیروی پیشران برای یک زیر دریایی و یا کشتی، ایجاد نیروی پیشران در جریان مافوق صوت و ماورای صوت، کنترل شوک جریان در دهانه ورودی جت، کنترل پدیده­های پیچیده در جریان سیال در مجاورت دیواره از قبیل لایه مرزی، توربولانس، گردابه جریان، و جدایش از جمله کاربردهای این علم به شمار می رود.

متن کامل را می توانید بعد از پرداخت آنلاین ، آنی دانلود نمائید، چون فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.

/images/spilit.png

دانلود فایل 


دانلود با لینک مستقیم


دانلود مقاله کامل درباره مطالعه عددی تاثیر میدانهای الکترو مغناطیس بر روی جدایی جریان در ایرفویل

پروژه و تحقیق- ساختارالکترومغناطیس- در 40 صفحه-docx

اختصاصی از فی دوو پروژه و تحقیق- ساختارالکترومغناطیس- در 40 صفحه-docx دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پروژه و تحقیق- ساختارالکترومغناطیس- در 40 صفحه-docx


پروژه و تحقیق-  ساختارالکترومغناطیس- در 40 صفحه-docx

 

    بمب الکترومغناطیسی در واقع چیزی نیست جز یک شار مغناطیسی فوق العاده‌ای نیرومند که با گسیل امواج پر قدرت (SHF) سوپر فرکانسهای با طول موج بالاتر از ده گیگا هرتز موسوم به امواج میکرو ویو پر قدرت (High Power Microwave) می‌تواند هر گونه دستگاههای الکتریکی یا الکترونیکی واقع در محدوده عمل خود را در یک باند فوق گسترده (uWb) که مخفف عبارت ultra Wide band می‌باشد، فلج نماید.

     بزودی این نکته روشن شد که مناسب ترین امواج الکترومغناطیسی برای ساخت بمبهای الکترومغناطیسی ، امواج با فرکانس در حدود گیگا هرتز است. این نوع امواج قادرند به درون انواع دستگاههای الکترونیک نفوذ کنند و آنها را از کار بیندازند. برای تولید امواج با فرکانس گیگاهرتز نیاز به تولید پالسهای الکترونیکی بود که تنها 100 پیکو ثانیه تدوام پیدا کنند. یک شیوه تولید این نوع پالسها استفاده از دستگاهی به نام «مولد ژنراتور مارکس» بود. این دستگاه عمدتا متشکل است از مجموعه بزرگی از خازنها که یکی پس از دیگری تخلیه می‌شوند و نوعی جریان الکتریکی موجی شکل بوجود می‌آورند.

    با گذراندن این جریان از درون مجموعه‌ای از کلیدهای بسیار سریع می‌توان پالسهایی با دوره زمانی 300 پیکوثانیه تولید کرد. با عبور دادن این پالسها از درون یک آنتن ، امواج الکترومغناطیسی بسیار قوی تولید می‌شود. مولدهای مارکس سنگین هستند اما می‌توانند پشت سرهم روشن شوند تا یک سلسله پالسهای قدرتمند را به صورت متوالی تولید کنند. این نوع مولدها هم اکنون در قلب یک برنامه تحقیقاتی قرار دارند که بوسیله نیروی هوایی آمریکا کانزاس در دست اجراست.

    تانک LC چیزی نیست جز یک مدار ساده نوسان ساز که از یک سلف یا سیم پیچ و یک خازن و یک باتری تشکیل شده است. در تانک LC یک فرکانس میرا تولید می‌گردد که اگر یک کلید قطع و وصل الکترونیکی به آن اضافه نماییم، بسته به قدرت فرکانس سازی یک فرکانس رادیویی کریر یا حامل خواهیم داشت. هر چند مدار الکترونیکی قابلیت تولید فرکانس در محدوده‌های مختلف را داراست، لیکن نیاز به یک مدار طبقه تقویت نیز دارد تا قدرت فرستندگی آن افزایش یابد.

لذا باید سر راه آن یک تقویت کننده ترانزیستوری قدرت نیز بهره جست که باز بسته به توان خروجی ترانزیستور طبقه تقویت قدرت فرستنده افزایش می‌یابد. قدرت یک فرستنده بستگی به توان خروجی آن دارد. معمولا فرستنده‌های 5 وات یا بالاتر از آن فرستنده‌های نیرومند به حساب می‌آیند، به نحوی که اگر انسان در کنار آنها قرار گیرد برای سلامتی وی مضر خواهد بود.

  حال آنکه می‌توان با افزایش طبقات تقویت قدرت فرستندگی امواج را بسیار بالا برد. اما این تنها بخش الکترومغناطیسی بمب الکتریکی می‌باشد، در حالیکه این بمب مثل هر بمب دیگری دارای واحد بخش انفجاری نیز می‌باشد. این قسمت یک بمب کاملا کلاسیک و عادی است. در واقع بخش اصلی بمب الکترومغناطیسی یک لوله تو خالی رسانا است، که حکم هسته سیم پیچ بمب را نیز دارد و در داخل این هسته مواد منفجره و چاشنی الکتریکی قراردارد که درست در لحظه انفجار بمب مدار الکتریکی نیز بکار می‌افتد و میدان مغناطیسی حاصل از کارکرد مدار الکترونیکی در یک میدان انفجاری قرار گرفته و انفجار میدان الکترومغناطیسی رخ می‌دهد.

 

اسلحه های برقاطیسی غیر اتمی

 

   به نظر می رسد که ایلات متحده چنین اسلحه هایی را در زرادخانه های خود دارد، ولی اینکه چه مدلی از آنها را در اختیار دارد معلوم نیست. بیشتر تحقیقات ایالات متحده با مشکل قدرت زیاد امواج روبه رو هستند. با توجه به صحبت های گزارش گرها و خبر نگاران چنین اسلحه هایی در جنگ عراق هم مورد استفاده قرار گرفته است .

   در حقیقت بیشتر بمب های برقاطیسی ایالات متحده بمب های واقعی نیستند. آن ها بیشتر شبیه اجاق های ماکروویو هستند که دارای پرتو های متمرکزی از انرژی هستند. این امکان وجود دارد که این تکنولوژی بسیار پیشرفته و گران به روی موشک های کروز سوار شده باشند.

   یک سازمان تروریستی می تواند به سادگی یک بمب e-bomb خطرناک بسازد. در اواخر ستامبر2001 مهندس های طراز اول یک مقاله در مورد احتمال وجود این ابزار نوشتند. این مقاله به روی ژنراتورهای شارش متراکم که فکراولیه آن ها به سال 1950 برمی گردند توجه کرده بود و در مورد e-bomb های قدرتمند ارزان قیمت توضیحاتی داده بود.

   فکر اصلی این طرح نوشته گزارش فردی به نام کارلو کوپ، یک تجزیه و تحلیل کننده ی مسائل دفاعی بود. اندیشه ی بزرگ ساخت این وسیله، واقعأ برای نیروهای دولتی برای مدتی مهم بود. البته هیچ کس قادر به ساخت دستگاه e-bombبا این توضیح به تنهایی نخواهد بود. بمب شامل یک سیلندر فلزی است که به عنوان آرمیچر توسط یک حلقه ی مارپیچ از سیم پیچ نگهداری شده است . سیلندر آرمیچر، با مواد منفجره ی قوی و یک پوشش قوی بیرونی که تمامی دستگاه را پوشانده است احاطه شده است. موتور، سیلندر را که به طور مجزادریک محیط خلأقراردارد ، می چرخاند. بمب همچنین منشأ قدرتی دارد(مثل خازن) که میتواند به مسیر سیم پیچ وصل شود.

در این قسمت ترتیب رخدادهایی را که برای انفجار بمب رخ می دهد را می توانید ببینید :

   یک سوئیچ به خازن وصل شده . بخش متحرک سیم پیچ الکتریسیته ی جاری را به سیمها منتقل می کند. این ژنراتورها میدان مغناطیسی بسیار قوی دارند . مکانیزم ساده ی یک فیوز مواد منفجره را فعال می کند .

  انفجار به صورت موج از وسط سیلندر آرمیچر عبور می کند، این موج انفجار از وسط سیلندر در تماس با سیم پیچ ساکن قرار می گیرد . Stator Winding این یک دوره چرخش در حوزه ی قلمرو مدار می سازد که استاتور را از منبع تغذیه خود قطع می کند. چرخش کوتاه استاتور باعث ایجاد میدان مغناطیسی فشرده می شود که در نتیجه یک انفجار الکترومغناطیسی قوی را به وجود می آورد.بیشتر این اسلحه ها می توانند تا اندازه ی کوچکی منطقه ای را تحت تأثیر خود قرار دهند البته نه به اندازه ی حمله ی بمب های الکترو_ مغناطیسی اتمی ولی می تواند خسارات جدی وارد کند.

   ایالات متحده به خاطر این که این اسلحه ها به هیچ وجه مرگ آور نیستند از شرح آن ها صرف نظر کرده ولی این اسلحه ها به صورت جدی مخرب هستند. یک حمله با بمب برقاطیسی می تواند زندگی را در ساختمان ها فلج و نابود کند همچنین می تواند باعث نابودی یک ارتش بزرگ باشد. در اینجا انواع سنا ریو های ممکن برای حمله های مختلف وجود دارد.

   پالس های میدان مغناطیسی سطح پایین می توانند به طور موقت سیستمهای الکتریکی را از کار بیندازد . پالس های قوی تر می توانند برنامه های کامپیوتری را خراب کنند ونیز انفجار های خیلی قدرتمند می تواند به طور کلی وسایل و تجهیزات الکتریکی را از کار بیندازد.

در جنگاوری مدرن سطوح مختلفی از حملات انجام می شوند تعدادی از عملیات های مهم جنگ را بدون زخمی و شکنجه کردن نیروها انجام دهند. به عنوان مثال e-bomb می تواند به طور مؤثر،تحرکات نظ


دانلود با لینک مستقیم


پروژه و تحقیق- ساختارالکترومغناطیس- در 40 صفحه-docx

پاورپوینت درباره آشنایی با روش طیف بینی NMR(رزونانس مغناطیسی هسته )

اختصاصی از فی دوو پاورپوینت درباره آشنایی با روش طیف بینی NMR(رزونانس مغناطیسی هسته ) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پاورپوینت درباره آشنایی با روش طیف بینی NMR(رزونانس مغناطیسی هسته )


پاورپوینت درباره آشنایی با روش طیف بینی NMR(رزونانس مغناطیسی هسته )

فرمت فایل : power point  (لینک دانلود پایین صفحه) تعداد اسلاید  : 17 اسلاید

 

 

 

 

 

 

 

بخشی از اسلایدها :

رزونانس مغناطیسی هسته ای (NMR)یک روش طیف سنجی است که برای شیمیدانان آلی از اهمیتی والا نسبت به طیف سنجی مادون قرمز برخوردار است . بسیاری از هسته ها را می توان با فنون NMR مطالعه کرد ، ولی هیدروژن و کربن بطور معمول مورد استفاده قرار می گیرند .

رزونانس مغناطیسی هسته ای ما را از تعداد هر نوع هیدروژن مطلع می سازد . به علاوه این روش ،  اطلاعاتی راجع به طبیعت محیط اطراف این گونه اتمهای هیدروژن به دست می دهد .

 

مقدمه :

شاید مهم ترین طیف سنجی در شناسایی ساختار گسترده ا‌ی ترکیبات آلی، طیف سنجی رزونانس مغناطیسی هسته ای (NMR) باشد. تکنیک طیف سنجی رزونانس مغناطیس هسته ای بر اساس اندازه گیری تابش الکترومغناطیسی در ناحیه فرکانس رادیویی تقریبا 4 تا 600 مگاهرتز می باشد. بر خلاف جذب های فرابنفش مرئی و زیر قرمز که الکترون ها در فرایند جذب درگیرند، در این تکنیک هسته اتم ها در فرایند جذب درگیر می باشند. اساس نظری این تکنیک نخستین بار در سال 1924 توسط دبلیو پائولی ارایه شد.

 

دانلود با لینک مستقیم


پاورپوینت درباره آشنایی با روش طیف بینی NMR(رزونانس مغناطیسی هسته )

مقاله در مورد مغناطیس (Magnetic)

اختصاصی از فی دوو مقاله در مورد مغناطیس (Magnetic) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقاله در مورد مغناطیس (Magnetic)


مقاله در مورد مغناطیس (Magnetic)

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه: 4
فهرست مطالب:

تاریخچه

میدان مغناطیسی

حوزه عمل و گسترش میدان مغناطیسی

مغناطیسهای طبیعی و مصنوعی

 

تاریخچه

علم مغناطیس از این مشاهده که برخی سنگها (ماگنتیت) تکه‌های آهن را جذب می کردند سرچشمه گرفت. واژه مغناطیس از ماگنزیا یا واقع در آسیای صغیر ، یعنی محلی که این سنگها در آن پیدا شد، گرفته شده است. زمین به عنوان آهنربای دائمی بزرگ است که اثر جهت دهنده آن بر روی عقربه قطبهای آهنربا ، از زمانهای قدیم شناخته شده است. در سال 1820 اورستد کشف کرد که جریان الکتریکی در سیم نیز می‌تواند اثرهای مغناطیسی تولید کند، یعنی می‌تواند سمت گیری عقربه قطب نما را تغییر دهد.

در سال 1878 رولاند (H.A.Rowland) در دانشگاه جان هاپکینز متوجه شد که یک جسم باردار در حال حرکت (که آزمایش او ، یک قرص باردار در حال دوران سریع) نیز منشاأ اثرهای مغناطیسی است. در واقع معلوم نیست که بار متحرک هم ارز جریان الکتریکی در سیم باشد. جهت مطالعه زندگینامه علمی رولاند فیزیکدان برجسته آمریکایی به کتاب زیر مراجعه شود:

 

Phusics by John D.Miller,Physics

 

Today , July 1976Rowland،s البته دو علم الکتریسیته و مغناطیس تا سال 1820 به موازات هم تکامل می یافت اما کشف بنیادی اورستد و سایر دانشمندان سبب شد که الکترومغناطیس به عنوان یک علم واحد مطرح شود. برای تشدید اثر مغناطیسی جریان الکتریکی در سیم می‌توان را به شکل پیچه‌ای با دورهای زیاد در آورد و در آن یک هسته آهنی قرار داد. این کار را می‌توان با یک آهنربای الکتریکی بزرگ ، از نوعی که معمولا در پژوهشگاههای برای کارهای پژوهشی مربوط به مغناطیس بکار می‌رود، انجام داد.


دانلود با لینک مستقیم


مقاله در مورد مغناطیس (Magnetic)

پاسخ آزمون قلم چی 29 مرداد 95 (رشته تجربی)

اختصاصی از فی دوو پاسخ آزمون قلم چی 29 مرداد 95 (رشته تجربی) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پاسخ آزمون قلم چی 29 مرداد 95 (رشته تجربی)


پاسخ آزمون قلم چی 29 مرداد 95 (رشته تجربی)

با سلام خدمت شما دانش آموزان عزیز.

در آزمون 29 مرداد قلم چی رشته تجربی بخش مغناطیس فیزیک سال سوم و فصل حرکت شناسی فیزیک پیش دانشگاهی مورد سوال بوده است.

سوالات این آزمون را با روشهای ویژه تستی و بسیار مفهومی مورد بررسی قرار دادیم. در این فایل آموزشی با روشهای سریع حل در فصل مغناطیس آشنا می شوید که زمان حل سوالات این بخش را بسیار کاهش می دهد.

در فصل حرکت شناسی با سوالات شتاب ثابت و سقوطی دست و پنجه نرم می کنید که با ارائه روشهای ویژه این بخش، به راحتی سوالات را پاسخ می دهیم.

پاسخ این آزمونها منبع بسیار کاملی برای آموزش بخش های مختلف فیزیک است.

در بررسی این آزمونها غفلت نکنید.


دانلود با لینک مستقیم


پاسخ آزمون قلم چی 29 مرداد 95 (رشته تجربی)