با سلام
مطلب حال حاضر ما گزارش فیزیکی مدرسه ی نیمه متمرکز شاهد می باشد
مشخصات فایل :
فرمت فایل : WORD . DOC
قابلیت ویرایش : دارد
قابلیت پرینت : دارد
تعداد صفحات : 19 صفحه
........
گزارشی از مدرسه ، محیط مدرسه ، فضای داخل ، تصاویر ، گزارش آموزشی و ....
...........
کلمات کلیدی :
موضوع فارسی :یک الگوریتم فاصله ویرایش محدود بین درختان نیمه دستور داد
موضوع انگلیسی :A constrained edit distance algorithm between semi-ordered trees
تعداد صفحه :10
فرمت فایل :PDF
سال انتشار :2009
زبان مقاله : انگلیسی
و الگوریتم برنامه نویسی پویا چند جمله ای برای محاسبه فاصله ویرایش محدود
بین این درختان. هسته اصلی این روش متکی بر یک رویکرد مشابه برای مقایسه
نامرتب [Kaizhong ژانگ، فاصله ویرایش محدود بین درختان برچسب نامرتب،
Algorithmica 15 (1996) 205. 222] و دستور داد درختان [Kaizhong ژانگ، الگوریتم برای
فاصله ویرایش محدود بین درختان دستور برچسب و مشکلات مرتبط با آن،
تشخیص الگو 28 (3) (1995) 463. 474. این روش در حال حاضر استفاده می شود برای ارزیابی
شباهت بین معماری از درختان سیب [ونسان سگورا، آیدا Ouangraoua،
پاسکال فرارو، Evelyne کاستس، مقایسه معماری درخت با استفاده از درخت ویرایش فواصل:
نرم افزار به درخت سیب دو ساله، Euphytica 161 (2007) 155. 164.
فرمت فایل : WORD ( قابل ویرایش ) تعداد صفحات:36
نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها
نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.
ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.
ژرمانیم دارای عدد اتمی32 می‌باشد .
این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر[1] کشف شد.
این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک[2] و تنارد[3] کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .
اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.
بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.
د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.
بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.
1. نیمه هادی نوع N وP
از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.
هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق[4] شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.
بنابرین هر اتم آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N[5] نام دارد.
در نیمه هادی نوع N ، چون تعداد الکترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدایت جریان را انجام می‌دهند . به حامل هدایت فوق حامل اکثریت و به حفره ها حامل اقلیت می‌گویند.
هرگاه به عناصر نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم ، یک ماده 3 ظرفیتی مانند آلومنیوم یا گالیم تزریق شود، سه الکترون مدار آخر آلومنیوم با سه الکترون سه اتم سیلیسیم یا ژرمانیم مجاور ، تشکیل پیوند اشتراکی می‌دهند . پیوند چهارم دارای کمبود الکترون و در واقع یک حفره تشکیل یافته است .
هر اتم سه ظرفیتی، باعث ایجاد یک حفره می‌شود، بدون اینکه الکترون آزاد ایجاد شده باشد. در این نیمه هادی ناخالص شده، الکترون ها فقط در اثر شکسته شدن پیوندها بو جود می‌آیند.
نیمه هادی هایی که ناخالصی آنها از اتم های سه ظرفیتی باشد، نوع P [6] می‌نامند .
چکیده
مقدمه
سازه خرپایی تطبیقی
مدل عددی
روش کاهش مرتبه
مثال
کنترل نیمه فعال
نتایج شبیه سازی
نتیجه گیری
مراجع
فیلم آموزشی شطرنج
توسط قهرمان اسبق شطرنج جهان رستم قاسمجانوف
Rustam Kasimdzhanov
آموزش کامل دفاع نیمه اسلاو ضد گامبی مسکو
زمان آموزش 3 ساعت و 35 دقیقه
همراه با دیتابیس بازیها
سطح: حرفه ای ، برای بازیکنان مسابقات
After the moves 1.d4 d5 2.c4 c6 3.Nf3 Nf6 4.Nc3 e6 5.Bg5 h6 6.Bh4 dxc4 7.e4 g5 8.Bg3 b5
Anti-Moscow Gambit(D43
رستم Kasimdzhanov. در سال 1979 متولد شده است، استاد بزرگ از ازبکستان برای سال های بسیاری به عنوان یک بازیکن بسیار قوی و خلاق شناخته شده است. با این حال در سال 2004 رستم قاسمجانوف قهرمان شطرنج جهان شد که توسط برنده شدن در فیده شطرنج جهان عنوان قهرمانی،را بدست آورد با ضرب و شتم یک رشته از بازیکنان کلاس جهانی همچون ایوانچوک، Grischuk، توپالف و آدامز در روند همه را شوکه کرد.
After the moves 1.d4 d5 2.c4 c6 3.Nf3 Nf6 4.Nc3 e6 5.Bg5 h6 6.Bh4 dxc4 7.e4 g5 8.Bg3 b5 (D43) the Anti-Moscow Gambit arises on the board which currently is one of the most hotly contested openings in grandmaster practice. Ex-FIDE World Champion Rustam Kasimdzhanov gives an introduction into the youngest development of this variation, starting with the game Radjabov - Anand played in August 2006. His chronological presentation of the events is as exiting as a thriller, the ‘scenes of crime’ being the top tournaments of the last two years and the actors the players of the absolute world elite. At the tournament in Wijk aan Zee 2008 Topalov opened a completely new chapter of the variation by beating his archrival Kramnik in the style of the masters of the 19th century, sacrifi cing a knight with 12.Nxf7 early on. Don’t miss this chess thriller (3.5 hours of video)
این فیلم آموزشی را به راحتی میتوانید با نرم افزار های( chessbase ,12,13 وfritz) چس بیس یا فریتز و چس بیس ریدر نگاه کنید