It's the Way You Say It

اختصاصی از فی دوو It's the Way You Say It دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تمرکز این کتاب برنحوه تلفظ درست است

Who Drove and Burst the Tech Bubble?

اختصاصی از فی دوو Who Drove and Burst the Tech Bubble? دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

ABSTRACT
From 1997 to March 2000, as technology stocks rose more than five-fold, institutions
bought more new technology supply than individuals. Among institutions, hedge
funds were the most aggressive investors, but independent investment advisors and
mutual funds (net of flows) actively invested the most capital in the technology sector.
The technology stock reversal inMarch 2000 was accompanied by a broad sell-off from
institutional investors but accelerated buying by individuals, particularly discount
brokerage clients. Overall, our evidence supports the bubble model of Abreu and
Brunnermeier (2003), in which rational arbitrageurs fail to trade against bubbles
until a coordinated selling effort occurs.

Beware the Pitfalls of CO2 Freezing Prediction

اختصاصی از فی دوو Beware the Pitfalls of CO2 Freezing Prediction دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

Carbon dioxide freezing in a cryogenic system can result in plugging and other operational problems. This article offers insight into the CO2 freezing phenomenon.
TIM EGGEMAN, STEVE CHAFIN
RIVER CITY ENGINEERING INC. Chemical Engineering Progress, March 2005

ترجمه مقاله Investigation of the cutoff frequency of double linear halo lightly doped drain and source CNTFET

اختصاصی از فی دوو ترجمه مقاله Investigation of the cutoff frequency of double linear halo lightly doped drain and source CNTFET دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

After discovering the carbon nanotube (CNT) by Aijima, scientific research about this structure are expanded due to its excellent electronic properties. One of the important properties of this structure is quasi-ballistic transport with very high carrier mobility. Using carbon nanotube, two types of field effect transistors have been discussed. The first type is Schottky barrier carbon nanotube field effect transistor (SB-CNTFET) and second type is MOSFET-like CNTFETs (MOSCNTs). The MOSCNT was more favorable because of the high on-off current ratio, but leakage current (IL) of this transistor is very high because of electron band-to-band tunneling (BTBT). In order to deal with this problem, some solutions such as drain and source with a linearly or lightly doped, source and drain extensions and asymmetric oxide thickness, have been proposed. Also, the dual material gate structure and the source and drain parameters effect on the characteristics of CNTFET are investigated. Moreover, the p-type halo implanted deteriorate the cutoff frequency and the switching delay of CNTFET.

پس از کشف نانولوله های کربنی (CNT) ها توسط ایجیما، تحقیقات علمی در مورد این ساختار با توجه به خواص الکترونیکی بسیار عالی آن گسترش یافت. یکی از خواص مهم این ساختار انتقال شبه بالستیک با تحرک حامل بالا است. با استفاده از نانو لوله های کربنی، دو نوع ترانزیستور اثر میدانی تشریح شده است. نوع اول ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی سد شاتکی (SB-CNTFET) است و نوع دوم ترانزیستورهای نانو لوله کربنی مانند ماسفت (MOSCNT) ها هستند. MOSCNT ها به دلیل میزان جریان روشن-خاموش بالا مطلوب هستند اما جریان نشتی (IL) ترانزیستور به دلیل احتمال تونل زنی باند به باند (BTBT) خیلی بالاست. به منظور مقابله با این مشکل، برخی از راه حل ها از قبیل آلایش خطی یا سبک سورس و درین، گسترش سورس و درین و ضخامت اکسید نامتقارن پیشنهاد شده اند. همچنین ساختار گیت دوگانه و اثر پارامتر های سورس و درین روی مشخصه های CNTFET بررسی شده اند. علاوه بر این، هاله نوع P فرکانس قطع و تأخیر سوئیچینگ CNTFET را بدتر می کند.

API 582:2016-Welding Guidelines for the Chemical, Oil, and Gas Industries

اختصاصی از فی دوو API 582:2016-Welding Guidelines for the Chemical, Oil, and Gas Industries دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

38 صفحه pdf

ویرایش سوم استاندارد جوشکاری در صنایع نفت و گاز

API 582:2016-Welding Guidelines for the Chemical, Oil, and Gas Industries