طرح توجیهی احداث سردخانه

اختصاصی از فی دوو طرح توجیهی احداث سردخانه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

طرح توجیهی احداث سردخانه بالای صفر با ظرفیت 5000 تن فرمت فایل پی دی اف تعداد صفحات 15

دانلود پاورپوینت بررسی هیدرومورفولوژیکی حوضه رودخانه ده بالای تفت با تأکید بر سیل خیزی و استفاده بهینه از جریانات سیلابی

اختصاصی از فی دوو دانلود پاورپوینت بررسی هیدرومورفولوژیکی حوضه رودخانه ده بالای تفت با تأکید بر سیل خیزی و استفاده بهینه از جریانات سیلابی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

•رودخانه ها جریان طبیعی آب های سطحی هستند که اگر چه رودخانه ها در توسعه شهری و تمدن بشری نقش مؤثری ایفا کرده اند اما با ملاحظه جریان توفنده سیلاب که حتی می تواند اتومبیل ها،خانه ها و درختانی که در مسیر جریان سیلاب قرار دارند رابا خود ببرند به خطرناک بودن زندگی در کنار آن ها پی می بریم . بی شک مهم ترین علت وقوع سیل در رودخانه ها بارش در مناطق بالادست آن ها می باشد. بنابراین به منظور مقابله با خطر سیلاب علل سیل خیزی حوضه رودخانه ده بالا با تأکید بر مطالعه فاکتورهای اساسی نظیر ویژگی ها و شرایط ژئومورفولوژی،هیدرولوژی،زمین شناسی،آب و هوا و فیزیو گرافی که هر کدام نقش عمده ای در ایجاد خطرسیلاب دارند مورد بررسی قرار می گیرد و در نهایت پیشنهاداتی در این زمینه در مورد جلوگیری از خطرات سیل ارائه می شود.

•حوضه آبخیز ده بالادر 30 کیلومتری جنوب شهرستان تفت در استان یزد واقع شده است. و جزء ارتفاعات شیرکوه می باشد بطوری که ارتفاعات شیرکوه دورتادور آن را محصور کرده است. بنابراین این حوضه در یک منطقه کوهستانی قرار داشته که ازنظر مختصات جغرافیایی برروی نقشه های توپوگرافی 1:5000 بین طول های شرقی 54،3،54تا5410و عرض شمالی 313335 واقع شده است در این حوضه تغییرات ارتفاعی زیادی مشاهده می شود به طوری که بالاترین نقطه ارتفاعی حوضه با 4000متر ارتفاع در حاشیه غربی منطقه و پایین ترین نقطه ارتفاعی با 2200متر ارتفاع در خروجی حوضه (منطقه آشنایی) واقع شده است.

•این حوضه از طرف شمال به شهرستان تفت و از طرف شرق به شهرستان مهریز ارتباط دارد. وراه دستیابی به حوضه مورد مطالعه نیز به شمار می آیند بطوری که از مسیر تفت –ده بالا پس از عبور از محدوده معدن سنگ چینی به سمت جنوب واردجاده آسفالته ده بالا می شود. مسیر دوم مسیرمهریز- ده بالا است که پس از عبور از منطقه طزرجان به سمت شمال وارد جاده ده بالا میشود.

زمین شناسی منطقه:

•براساس تقسیم بندی م.ح نبوی محدوده مورد مطالعه در زون ایران مرکزی که یکی از بزرگترین و پیچیده ترین زون های ساختمانی ایران است واقع شده است کوهزایی سیمرین پسین و دگرشیبی های اصلی دوران مزوزئیک (ژوراسیک)حوضه مورد مطالعه را تحت تأثیرقرارداده است.بطوریکه همزمان بااین کوهزایی فعالیتهای ماگماییرونق می یابندوتوده های گرانیت شیرکوه تشکیل می شودکه عمده ترین سازند منطقه به شمار می آید و حدود 66% از مساحت حوضه را در بر گرفنه است و بعد از این سازند سازندآهک تفت و سازند سنگستان وجود دارد که در دوره کرتاسه ایجاد شده و بر روی سازند گرانیت شیرکوه واقع شده است . سازند سنگستان حاصل تخریب گرانیت شیرکوه می باشد و از نظر لیتولوژی شامل کنگلومرا،ماسه سنگهای ریز و درشت است که همراه با لایه های شیلی و آهکی می باشد. بعد از آن رسوبات دوره کواترنر است که شامل تراس های آبرفتی، رسوبات آبرفتی بستر رودخانه و دره یخچالی می شود و سطح قابل ملاحظه ای از مرکز حوضه را می پوشاند. و چون این تراس ها از نفوذ پذیری بالایی برخوردار است حاصلخیز بوده و مناطق مستعدی را برای کشت درختان میوه فراهم آورده است.به طور کلی مهم ترین رویداد تکتونیکی منطقه به نام کوهزایی سیمرین پسین معرفی شدو بعد از آن گسل ها مهم ترین رویداد تکتونیکی منطقه به شمار می روند که بعضاً با خروج گدازه های آندزیتی به صورت دایک همراه می باشدو همچنین باعث ایجاد دره ده بالا شده است

شرایط آب و هوایی منطقه:

•برای شناخت شرایط آب و هوایی پارامترهای اقلیمی منطقه مورد بررسی قرار می دهیم

•دما

•با توجه به دمای ثبت شده توسط ایستگاه کلیماتولوژی منطقه،ماه تیر با میانگین دمای 5/21 درجه سانتی گراد گرمترین و ماه دی  با 1/0 درجه سانتی گرادسردترین ماه سال می باشدو میانگین دمای سالیانه منطقه75/10 درجه سانتی گراد است که نمودار زیر گویای تمامی مطالب فوق می باشد .

شامل 36 اسلاید powerpoint

طرح توجیهی سردخانه 5000 تنی بالای صفر

اختصاصی از فی دوو طرح توجیهی سردخانه 5000 تنی بالای صفر دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

طرح توجیهی سردخانه 5000 تنی بالای صفر

موضوع طرح : تکمیل سرد خانه 5000 تنی بالای صفر
نوع تولیدات : نگهداری مواد خوراکی برای مدت طولانی
تعداد شاغلین : 13

آموزش تضمینی دانگرید سامسونگ S6 Edge+ SM-G928C و حل مشکل مصرف بالای باتری

اختصاصی از فی دوو آموزش تضمینی دانگرید سامسونگ S6 Edge+ SM-G928C و حل مشکل مصرف بالای باتری دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

آموزش تضمینی دانگرید سامسونگ S6 Edge+ SM-G928C و حل مشکل مصرف بالای باتری

در بعضی موارد با آپدیت به 6.0.1 این مدل مشکل مصرف بالای باتری پیدا میکنه که با دانگرید حل میشه

این فایل هم بصورت تصویری و هم بصورت فیلم قدم به قدم توضیح داده شده است

تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT

اختصاصی از فی دوو تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT

به همراه 16 اسلاید آماده ارائه در قالب پاورپوینت

مقدمه:

ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون،[1]HEMT، که بر اساس مواد نیمه هادی III-Vو معمولا برای فرکانسهای بالا  ساخته می شوند، جایگاه ویژه ای در طراحی تقویت کننده های کم نویز فرکانس بالا و Wide band دارند. ترانزیستور های  HEMT در واقع  مشتق  MESFET  ها می باشند.الکترون در MESFET  از یک لایه n-GaAs تغلیظ شده عبور می کند، و با توجه به اینکه قابلیت تحرک الکترون در n-GaAs نسبت به GaAs در حدود  کمتر می باشد، به دلیل پراکندگی( Scatter)  الکترون ها ناشی از Ionized dopant’s  ، بنابراین با جدا سازی کانال عبور الکترون از لایه  n-GaAs می توان به عملکرد نویز، بهره و فرکانسی  بهتری  نسبت به MESFET دست یافت. HEMT از دو ماده متمایز طبق آنچه گفته شد در در ساختارش استفاده  می شود( مطابق شکل -1). تفاوت در شکاف انرژی باعث به وجود آمدن یک ناپیوستگی در باند هدایت و ظرفیت در محل تماس می شود یا به عبارتی پیوند چندگن یک چاه کوانتومی در باند هدایت درست می کند. نیمه هادی با باند انرژی بزرگتر باناخاصی و نیمه هادی با باند انرژی کوچکتر بدون ناخالصی می باشد، در نتیجه الکترونهای باند هدایت از نیمه هادی با ناخالصی به لایه بدون ناخالصی به دلیل شکاف انرژی کمترآن حرکت می کنند، ویک لایه گاز الکترون دو بعدی بین لایه های بدون الایش و نوع n در امتداد پیوند چندگن ایجاد می شود. ناپیوستگی باند انرژی یک سد انرژی  می باشد  که الکترونها را حبس می کند]1[.

روش کار:

طرح حاضر به طور کلی به ساخت وسایل میکروالکترونیک مربوط است وبه طور خاص درباره ساخت گیت-T برای ترانزیستورهای اثر میدانی مثل یک ترانزیستور با قابلیت تحرک بالای الکترونHEMT.در زیر مراحل ساخت یک HEMT با گیت-T به طور کامل شرح داده شده است.

با توجه به شکل -2 اولین مرحله در فرایند ساخت فراهم کردن یک زیر لایه 10 است که می تواند شامل Si,Ge,GaAs یا مواد مشابه باشد که در اینجا ازInP  استفاده شده  بر روی پایه نیمه-عایقInP 12 وساختار  لایه اپیتکسی نیمه رسانا 14 بر روی لایه 12 تشکیل شده است که شامل لایه تغلیظ شده دهنده روی لایه کانال تغلیظ نشده که درادامه  توضیح داده خواهد شد.در شکل-2 یک ماسک فتورزیست 16  بوسیله فتولیتوگرافی بر روی سطح ا a14 ز لایه اپیتکسی 14 تشکیل شده است،سپس سطح a14 در معرض کاشت یونها قرار میگیرد که سبب می شود نواحی پوشانده نشده توسط ماسک16 بطور الکتریکی عایق شوند،هدف از این مرحله ایزوله کردن زیرلایه 10 است،یونهای پیشنهادی دراین مرحله اکسیژن وبور هستند. بعد از کاشت، لایه اپیتکسی 14 شامل ناحیه داخل b14که توسط ماسک  16حفاظت شده است وناحیه بیرونی c14که بوسیله کاشت یون عایق شده است،می باشد.

ممکن است هنگام انتقال از فایل ورد به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است

متن کامل را می توانید در ادامه دانلود نمائید

چون فقط تکه هایی از متن برای نمونه در این صفحه درج شده است ولی در فایل دانلودی متن کامل همراه با تمام ضمائم (پیوست ها) با فرمت ورد word که قابل ویرایش و کپی کردن می باشند موجود است