فی دوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فی دوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

تحقیق در مورد مقاومت و دیود

اختصاصی از فی دوو تحقیق در مورد مقاومت و دیود دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق در مورد مقاومت و دیود


تحقیق در مورد مقاومت و دیود

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه10

اگر بیان برتری های گیت  PASSARD 700  را خودستائی تعبیر نفرمائید باید گفت این گیت یکی از پیشرفته ترین نمونه های موجود در میان انواع مشابه خود میباشد .که حاصل هشت سال تحقیق و تولید مداوم متخصصین این شرکت در ایران  بوده و  از نظر کارا ئی میتواند با انواع نمونه های خارجی مشابه رقابت نماید و حتی در مواردی از آنها برتر باشد .

PASSARD 700  را میتوان یک گیت نسل جدید نامید ، زیرا اولین گیت صد در صد هوشمند است که نسبت به نسلهای قبلی خود از ویژگیها و امکانات بسیار پیشرفته تری برخوردار میباشد ، و به همین دلیل ، چه از نظر ظاهری و ساختار فیزیکی و چه از نظر سیستم الکترونیکی با انواع مدل های قدیمی خود قابل مقایسه نمیباشد  و بهترین گواه براین مهم ، مقایسه خصوصیات ظاهری و  پارامترهای الکترونیک موجود در آن ، نسبت به مدل های قدیمی است .

همچنین میتوان از مهمترین ویژگی های این گیت جدا از مسائل فنی نسبت به انواع مشابه خارجی ، به موارد ذیل توجه نمود :

1- توسط هموطنان شما طراحی وتولید گردیده است .

2- دارای ضمانت یک ساله وخدمات بعد از فروش  دائم که یکی از مهمترین فاکتورهای مطرح در استفاده از تجهیزات فنی است میباشد .

3- بهای آن به نسبت قابل ملا حظه ای کمتر از انواع مشابه خارجی است و هزینه های بیمه ، حمل  و گمرکی کالاهای وارداتی را ندارد .

4- خرید آن ضمن حمایت از صنعت داخلی موجب عدم خروج ارز از کشور میگردد .

5- مشکلات ثبت و سفارش و دریافت مجوز ترخیص و دیگر مشکلات تبعی آنرا ندارد .

6- زمان سفارش


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق در مورد مقاومت و دیود

سمینار نوسان سازها

اختصاصی از فی دوو سمینار نوسان سازها دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

سمینار نوسان سازها


سمینار نوسان سازها

لینک پرداخت و دانلود "پایین مطلب:
فرمت فایل: word (قابل ویرایش)
تعداد صفحه: 48
فهرست مطالب:

 

مقدمه

معیارنوسان-

نوسان ساز مقاومت منفی

روش های تولید مقاومت منفی

تکنیکهای طراحی نوسان ساز

نوسان سازهای فیدبک دار-

نوسان سازهای کنترل شده با کریستال

اسیلاتورهای مایکروویو

اسیلاتورهای ترانزیستوری

تشدید‌کننده‌های مایکروویو

تشدیدکننده های خطوط انتقال

کاواک های موجبر مستطیلی

کاواک های موجبراستوانه‌ای

تشدید کننده های دی الکتریک

ایجاد کردن رزوناتور

 

قسمتی از متن:

 

مقدمه

اسیلاتورهای مایکروویو و RF به طورکلی در سیستم های نسبتا مدرن و سیستم های بی سیم مخابراتی برای تولید منبع سیگنال ، ترکیب  فرکانسی و تولید موج حامل به کار می رود.

اسیلاتورهای نیمه هادی با قطعات غیر خطی فعال مثل دیود و ترانزیستور به صورت ترکیب با مدارات پسیو برای تبدیل DC به سیگنال حالت دائمی سینوسی  RFمورد استفاده قرارمی گیرد.

مدارات اسیلاتوری ترانزیستوری پایه می توانند  به صورت عمده در فرکانسهای پایین همچنین با نوسان ساز های کریستالی برای تولید فرکانس های پایدار و با نویز کم استفاده شوند.

در فرکانس های بالا دیود ها و ترانزیستورها به صورتی بایاس می شوند که در نقطه کار به صورت یک مقاومت منفی عمل می کنند . با استفاده از کاواک ،خطوط انتقال یا رزوناتورهای     دی الکتریک  برای تولید فرکانس های نوسان پایه تا 100GHz به کار می روند .

آنالیز دقیق این مدارات با استفاده از نرم افزارهای CAD انجام می شود .

ما ابتدا یک یادآوری در مورد اسیلاتور ترانزیستوری شامل ساختارهای هارتلی و کلپیتس که بهتر از اسیلاتور کریستالی عمل می کنند خواهیم داشت سپس اسیلاتورهای مایکروویو را بررسی می کنیم .


دانلود با لینک مستقیم


سمینار نوسان سازها

گزارش کار آزمایشگاه الکترونیک 1

اختصاصی از فی دوو گزارش کار آزمایشگاه الکترونیک 1 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

گزارش کار آزمایشگاه الکترونیک 1


گزارش کار آزمایشگاه الکترونیک 1

لینک پرداخت و دانلود "پایین مطلب:
فرمت فایل: word (قابل ویرایش)
تعداد صفحه: 33
فهرست مطالب:

مقاومت

خازن

دیود

ترانزیستورها

صفحات برد بورد :

 تغذیه

مولتی‌متر (آوومتر)

آشنایی با اسیلوسکوپ

نحوه کالیبراسیون کردن اسیلوسکوپ

نحوه اندازه‌گیری ولتاژ یک سیگنال موج

نحوه اندازه‌گیری فرکانس یک سیگنال موج

اندازه‌گیری اختلاف فاز بین دو موج

ترانزیستور

منحنی مشخصه‌ ترانزیستور :

 نحوة چک کردن ترانزیستور و سالم بودن آن :

روش آزمایش :

 

قسمتی از متن:

 

ترانزیستور :

هرگاه سه نیمه هادی ناخالص را بهم وصل کنیم تشکیل یک ترانزیستور می‌دهد و بسته به اینکه از دو لایه N و یک لایة P و یا دو لایه P و یک لایه N تشکیل شده باشد به آن ترانزیستور نوع NPN یا PNP می‌گویند. سه پایة ترانزیستور را با نامهای Emitter (نشط دهنده)، Base(پایه) و Collector(جمع کننده) می‌شناسند. معمولاً در کنار یکی از پایه‌های ترانزیستور زائده‌ای وجود دارد که نشان دهندة پایة امیتر است و اگر از بالا به آن نگاه کنیم درست در خلاف جهت عقربه‌های ساعت پایه‌ها بیس و کلکتور می‌باشند. ترانزیستور وسیله‌ای است که در آن با توجه به جریان بیس میتوانیم جریان امیتر را کنترل کنیم.

 


دانلود با لینک مستقیم


گزارش کار آزمایشگاه الکترونیک 1

تحقیق در مورد دیود زنر

اختصاصی از فی دوو تحقیق در مورد دیود زنر دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق در مورد دیود زنر


تحقیق در مورد دیود زنر

شلینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه40

فهرست مطالببایاس مستقیمبایاس دیودتست دیوددیود نوردهندهLEDانواع دیود هادیود زنر

دیود اتصال نقطه ای

ولتاژ و جریان در یک پیوند نور تابیدهدیود خازنی ( واراکتور )باتریهای خورشیدیآشکارسازهای نورینحوه کنترل پهنای ناحیه تهیدیود زنر

دیود های زنر یا شکست ، دیود های نیمه هادی با پیوند p-n هستند که در ناحیه بایاس معکوس کار کرده و دارای کاربردهای زیادی در الکترونیک ، مخصوصآ به عنوان ولتاژ مبنا و یا تثبیت کننده ی ولتاژ دارند.

 

هنگامیکه پتانسیل الکتریکی دو سر دیود را در جهت معکوس افزایش دهیم در ولتاژ خاصی پدیده شکست اتفاق می افتد، بد ین معنی که با افزایش بیشتر ولتاژ ، جریان بطور سریع و ناگهانی افزایش خواهد داشت. دیود های زنر یا شکست دیود هایی هستند که در این ناحیه یعنی ناحیه شکست کار میکنند و ظرفیت حرارتی آنها طوری است که قادر به تحمل محدود جریانمعینی در حالت شکست می باشند، برای توجیه فیزیکی پدیده شکست دو نوع مکانیسم وجود دارد.

 

مکانیسم اول در ولتاژهای کمتر از 6 ولت برای دیودهایی که غلظت حامل ها در آن زیاد است اتفاق می افتد و به پدیده شکست زنر مشهور است. در این نوع دیود ها به علت زیاد بودن غلظت ناخالصی ها در دو قسمت p و n ، عرض منطقه ی بار فضای پیوند باریک بوده و در نتیجه با قرار دادن یک اختلاف پتانسیل v بر روی دیود (پتانسیل معکوس) ، میدان الکتریکی زیادی در منطقه ی پیوند ایجاد می شود.

 

با افزایش پتانسیل v به حدی می رسیمکه نیروی حاصل از میدان الکتریکی ، یکی از پیوند های

 


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق در مورد دیود زنر

تحقیق آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

اختصاصی از فی دوو تحقیق آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور


تحقیق آشنایی با ساختمان و عملکرد  نیمه هادی دیود و ترانزیستور

*تحقیق آشنایی با ساختمان و عملکرد  نیمه هادی دیود و ترانزیستور*

 

 

 

 

 

تعداد صفحات: 36

فرمت فایل: word

 

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.

ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.

ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .

این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر[1] کشف شد.

این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک[2] و تنارد[3] کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .

اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.

بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.

د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.

بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

  1.                      نیمه هادی نوع N وP

از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود  در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق[4] شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.

بنابرین هر اتم  آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N[5] نام دارد.

در نیمه هادی نوع N ، چون تعداد الکترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدایت جریان را انجام می‌دهند . به حامل هدایت فوق حامل اکثریت و به حفره ها حامل اقلیت می‌گویند.


[1] winkler

[2] Gilosake

[3] Tanard

[4] Dopping

[5] Negative


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور