فی دوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فی دوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

دانلود مقاله تقویت کننده توان

اختصاصی از فی دوو دانلود مقاله تقویت کننده توان دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

 

 

کاربرد تقویت کننده توان در مدلسازی
مدلسازی جامع روش نوینی است که انتشار و ترویج امواج و میدانهای الکترومغناطیسی را در سراسر مدار حتی در ساختار قطعه نیمه هادی هم در نظر می گیرد. اما ما این تحلیل را محدود به قسمتهای پسیو مدار می کنیم. در واقع قسمتهای پسیو مدار را با روش موج کامل حل می کنیم و نتایج حاصل از این تحلیل را به کمیتهای مداری تبدیل می کنیم تا کل مدار به روش مداری حل شود. با این تکنیک علاوه بر اینکه به اندازه کافی مناسبی اثرات فرکانس بالای مدار در نظر گرفته می شود اجرای تحلیل ساده تر و سریعتر خواهد شد. مداری که ما برای این کار انتخاب کرده ایم. یک تقویت کننده توان است که جزء اصلی هر فرستنده مایکروویوی است. چون تقویت کننده های توان دارای اثرات غیرخطی هستند لذا روش مداری که برای تحلیل آن باید به کار برده شود. باید غیرخطی باشد با توجه به روشهای موجود بهترین روش برای تحلیل مدارهای فرکانس بالا روش توازن هارمونیکی است که ما هم از این روش استفاده کرده ایم. ابتدا یک تقویت کننده توان طراحی شد. به منظور داشتن حداکثر توان در خروجی و حداکثر خطی بودن این تقویت کننده در کلاس A بایاس شد. برای مدل کردن ترانزیستور مورد استفاده از مدل تجربی Curtice 3 استفاده شده است. تقویت کننده طراحی شده با دو نرم افزار ADS2002 و Microwave Office2002 شبیه سازی شد تا صحت عملکرد آن ثابت شود. چون در ادامه پروژه لازم خواهد شد نتایج حاصل از تحلیل میدانی و مدلسازی عصبی را در برنامه توازن هارمونیکی قرار دهیم لذا داشتن این برنامه ضروری است. بدین خاطر با نرم افزار متلب برنامه ای بر مبنای الگوریتم توازن هارمونیکی نوشته شد همچنین برنامه دیگری هم براساس الگوریتم FDTD نوشته شد تا شبکه های تطبیق تقویت کننده به صورت میدانی حل شوند و پارامترهای پراکندگی آن به دست آیند. این اطلاعات در کد توازن هارمونیکی نوشته شده برای تهیه ماتریس ادمیتانس بخش خطی مدار استفاده می شود تا بدین ترتیب کل مدار تحلیل گردد. از کارهای دیگر انجام شده در این پروژه نشان داد قابلیت شبکه های عصبی در مدل کردن قطعات فعال مایکروویو است. بدین منظور برای ترانزیستور مورد استفاده یک مدل عصبی ایجاد شد که از اطلاعات مدل Curtice3 آموزش یافته است. توانایی این مدل عصبی با به کارگیری آن در برنامه توازن هارمونیکی نوشته شده نشان داده شده است.
دید کلی
عمل تقویت کنندگی سیگنال ساده‌ترین کار در پردازش سیگنال است. چون مبدلها سیگنالهای ضیعفی بدست می‌دهند که ‌انرژی کمی‌ دارند و دامنه آنها حدود میکروولت یا میلی‌ولت است، بنابراین به تقویت نیاز دارند. چنین سیگنالهای کوچکی برای پردازش مناسب نیستند، چنانچه دامنه آنها بزرگتر شود، عمل پردازش آنها بسیار آسانتر صورت می‌گیرد. قسمتی که چنین کاری را انجام می‌دهد، تقویت کننده سیگنال نامیده می‌شود.
استفاده ‌از تقویت کننده به مثابه تقویت کننده ولتاژ است. تقویت کننده مقدماتی در دستگاه ‌استریوی خانگی نمونه‌ای از تقویت کننده ولتاژ است. نوع دیگری از تقویت کننده موسوم به تقویت توان است. تقویت کننده توان در دستگاههای استریوی خانگی یک نمونه‌ از این تقویت کننده‌ها ‌است و توان لازم برای راه‌اندازی بلندگو را تهیه می‌کند.
مدلهای مداری تقویت کننده
تقویت کننده‌های ولتاژ
این مدل که شامل منبع ولتاژ (دارای کنترل) با ضریب بهره Avo است، یک مقاومت ورودی Ri دارد، با توجه به ‌اینکه تقویت کننده یک جریان ورودی از منبع سیگنال دریافت می‌کند و نیز دارای یک مقاومت خروجی Ro با توجه به تغییر در ولتاژ خروجی است. تقویت کننده جریان خروجی را برای بار تهیه می‌کند. در مدل تقویت کننده بوسیله منبع ولتاژ سیگنال vs با مقاومت Rs تغذیه شده ‌است و به خروجی با مقاومت بار RL اتصال دارد.
تقویت کننده‌های جریان
این مبدل یک منبع جریان دارای کنترل جریان با ضریب بهره جریان Ais ، یک مقاومت ورودی Ri و یک مقاومت خروجی Ro را شامل می‌شود. تقویت کننده جریان توسط یک منبع جریان is با مقاومت Rs تغذیه می‌شود و یک مقاومت بار RL به خروجی آن متصل شده ‌است. برای جلوگیری از اتلاف بهره در جفت شدن تقویت کننده جریان با مقاومت بار ، تقویت کننده بایستی طوری طراحی شود که مقاومت خروجی‌اش Ro خیلی بزرگتر از مقاومت بار RL باشد. یک تقویت کننده جریان آرمانی دارای یک مقاومت خروجی نامحدود است.
تقویت کننده ترارسانایی
این نوع تقویت کننده با ولتاژ ورودی یک سیگنال راه‌اندازی می‌شود و یک جریان خروجی بدست می‌دهد. شاخصه بهره ، Gm ، نسبت جریان خروجی در اتصال کوتاه مدار به ولتاژ ورودی است. این شاخصه ترارسانایی ، اتصال کوتاه مدار نامیده می‌شود و واحد آن مهو (mho) با A/V است. یک تقویت کننده ترارسانا دارای مقاومت ورودی بینهایت و مقاومت خروجی بینهایت می‌باشد.
تقویت کننده ترامقاومتی
این نوع تقویت کننده با جریان ورودی سیگنال بکار می‌افتد و یک ولتاژ خروجی بدست می‌دهد. شاخصه ، Rm ، نسبت ولتاژ خروجی مدار باز به جریان ورودی است و ترا مقاومت مدار باز نامیده می‌شود و واحد آن اهم یا V/A است. یک تقویت کننده ترامقاومت دارای مقاومت ورودی صفر و مقاومت خروجی صفر می‌باشد.
منابع تغذیه تقویت کننده
چون توانی که تقویت کننده به بار می‌دهد، بیشتر از توانی است که ‌از منبع سیگنال دریافت داشته ‌است، از اینرو ، این پرسش مطرح می‌شود که سرچشمه توان اضافی کجاست؟ پاسخ آن زمانی دریافت می‌شود که در نظر بیاوریم که تقویت کننده‌ها برای کار خود به منابع ولتاژ dc نیاز دارند. منابع ولتاژ dc ، توان اضافی تحویل شده به بار را تامین می‌کنند. علاوه بر این ، هر توانی که در مدار داخلی تقویت کننده تلف می‌شود (نظیر توان تبدیل شده به گرما) بوسیله همین منبع ولتاژ dc تامین می‌شود. بازدهی توان یکی از مهمترین شاخصه‌های تقویت کننده‌هایی که توان زیادی بدست می‌دهند، چنین تقویت کننده‌هایی ، تقویت کننده‌های توان نامیده می‌شوند.

 


اشباع تقویت کننده
مشخه ‌انتقال تقویت کننده تنها در محدوده مشخصی از ولتاژهای ورودی و خروجی خطی می‌ماند. در تقویت کننده‌ای که با دو منبع تغذیه کار می‌کند، ولتاژ خروجی نمی‌تواند از مقدار مثبت معینی بیشتر و از مقدار منفی معینی کمتر شود. بطور مسلم برای پیشگیری از بروز اعوجاج در شکل موج سیگنال خروجی ، نوسان سیگنال ورودی بایستی در محدوده خطی کار تقویت کننده قرار داشته باشد.
پاسخ فرکانسی تقویت کننده‌ها
اگر موج سینوسی (Va(ω به ورودی یک تقویت کننده‌ اعمال گردد، خروجی شکل ، موجی سینوسی با همان فرکانس خواهد بود. البته خروجی سینوسی (Vb(ω دارای دامنه و فازی متفاوت با ورودی (Va(ω است. یک موج سینوسی با فرکانس و دامنه معین به ورودی تقویت کننده‌ اعمال می‌گردد و دامنه و فازی مرتبط با موج سینوسی ورودی اندازه گیری می‌شود.
از اینرو ، در این فرکانس مشخص ، بزرگی انتقال یا بهره تقویت کننده ، همچنین زاویه فاز بهره تقویت کننده را پیدا می‌کنیم. در اینصورت فرکانس موج سینوسی ورودی تغییر داده می‌شود و آزمون تکرار می‌گردد. نخست به مورد اول یعنی نمودار بزرگی بهره در برابر فرکانس توجه می‌کنیم. این مورد را پاسخ دامنه یا پاسخ فرکانسی تقویت کننده می‌نامیم.
دسته‌بندی تقویت کننده‌ها بر اساس پاسخ فرکانس
ظرفیت خازنی داخلی در قطعاتی مثل ترانزیستور سبب افت بهره در فرکانس‌های بالا می‌شود. از سوی دیگر ، افت بهره در فرکانس‌های پائین معمولا توسط خازن‌های انتقال صورت می‌گیرد که برای متصل کردن یک طبقه تقویت کننده به طبقه تقویت کننده دیگر از آن استفاده می‌شود. از این روش برای ساده کردن فرآیند طراحی طبقات مختلف استفاده می‌شود. خازن‌های انتقال را با ظرفیت کاملا بزرگ انتخاب می‌کنند تا امپدانس آنها در فرکانس مورد نظر کوچک باشد.
کاربردهای زیادی وجود دارد که در آنها مهم است که بهره تقویت کننده در فرکانس‌های پائین کم باشد. علاوه بر این ، تکنولوژی ساخت مدارهای مجتمع (IC) ، ساختن خازن‌های انتقال بزرگ مجاز نیست. از اینرو ، تقویت کننده‌های IC معمولا به عنوان تقویت کننده‌های dc یا تقویت کننده‌های با اتصال مستقیم طراحی می‌شوند.
آشنایی با تقویت کننده های عملیاتی (Opamp)

 


نمونه ای از تقویت کننده های عملیاتی
تقویت کننده های عملیاتی، تقویت کننده های کوپل مستقیم بوده، که دارای گین
(Gian)خیلی زیادی می باشند. که مقدار این گین را با کمک
مقاومت فیدبک می توان کنترل نمود. این تقویت کننده ها اکثراً در مدارات خطی بکار می روند و اغلب در مدارات غیرخطی نیز از آنها استفاده می شود. یک تقویت کننده عملیاتی ایده آل بایستی شرایط زیر را دارا باشد.
1) مقاومت ورودی آن بی نهایت باشد (Ri= ∞).
2) مقاومت خروجی آن صفر باشد (Ro= O).
3) گین ولتاژ حلقه باز آن بی نهایت باشد (Av= -∞).
4) عرض باند آن بی نهایت باشد (BW= ∞).
5) هنگامی که اختلاف ولتاژ در ورودی صفر است، ولتاژ خروجی نیز صفر باشد.
6) منحنی مشخصه آن با درجه حرارت تغییر نکند.
تقویت کننده های عملیاتی اکثراً بصورت مدار مجتمع ساخته می شوند.

 

 

 


اتصالات تغذیه تقویت کننده های عملیاتی

تغذیه دوبل
برای استفاده از رنج کامل تقویت کننده های عملیاتی، بایستی این تقویت کننده ها با دو منبع تغذیه با یاس شوند، که این عمل معمولاً با استفاده از دو منبع تغذیه مجزا صورت می گیرد. ولتاژ منبع اول نسبت به زمین (GND) برابر +VBB بوده در حالیکه ولتاژ منبع دوم نسبت به زمین برابر –VBB می باشد که غالباً مقدار این ولتاژها +15 ولت و -15 ولت انتخاب می شود.
معمولاً تقویت کننده های عملیاتی جهت تغذیه دو پایه دارند، چون زمین به تقویت کننده عملیاتی وصل نمی شود و فقط ولتاژهای +VBB و –VBB به تقویت کننده عملیاتی متصل می شود. ولی با وجود این تمام اتصالاتی که بایستی زمین (GND) شوند، به نقطه بین دو منبع تغذیه زمین وصل می گردند.
همچنین هر تقویت کننده عملیاتی دو ورودی دارد؛ یکی ورودی مثبت که با V+ و دیگری ورودی منفی که با V- نشان داده می شود.
تقویت کننده توان برای کاربرد های UWB
طراحی تقویت کننده توان برای کاربرد های UWB در تکنولوژی CMOS 0.18 میکرون وتقویت کننده توان براساس پارامترهای مشخص شده در استاندارد a3.15.802 با استفاده از تکنولوژی 0.18 میکرون طراحی شده است. با توجه به پهنای باند زیاد مورد نیاز، از ساختار تقویت کننده گسترده برای طراحی تقویت کننده توان استفاده شده است. برای طراحی تقویت کننده گسترده از ساختار سلف و خازن به جای Microstrip استفاده شده ،زیرا طول خط انتقال Microstrip مورد نیاز در مدار مجتمع برای بدست آوردن مقدار سلف لازم برای جدا سازی طبقات خیلی بزرگ می گردد.
با توجه به اینکه در طراحی خطوط انتقال مورد نیاز از خازن های پارازیت ترانزیستورها استفاده شده است و مقادیر این خازن ها از روابط تقریبی بدست آمده اند بنابراین طراحی انجام شده توسط نرم افزار شبیه سازی مدار برای عملکرد مناسب بهینه سازی شده است. تقویت کننده توان طراحی شده دارای ضریب تقویت توان dB 19+ با ریپلdB در باند فرکانسی GHz 10.6-3.1 می باشد.امپدانس ورودی و خروجی تقویت کننده 50 اهم می باشد و ضریب انعکاس در ورودی و خروجی کمتر از dB10- میباشد. توان مصرفی این تقویت کننده توان حدود mW 35 می باشد
جامع و موج کامل تقویت کننده توان موج میلی متری با استفاده از شبکه¬های عصبی
هدف اصلی از انجام این متن تحلیل مدارهای فعال موج میلی¬متری با روشهای نوین است، به گونه¬ای که اثرات فرکانس بالای مدار به مقدار کافی در نظر گرفته شود. مدلسازی جامع روش نوینی است که انتشار و تزویج امواج و میدانهای الکترومغناطیسی را در سراسر مدار حتی در ساختار قطعه نیمه هادی هم، در نظر می¬گیرد. اما ما این تحلیل را محدود به قسمتهای پسیو مدار (که خصلت پراکنده¬کنندگی و تشعشعی بیشتری دارند) می¬کنیم. در واقع قسمتهای پسیو (شبکه¬های تطبیق) مدار را با روش موج کامل (FDTD) حل می¬کنیم و نتایج حاصل از این تحلیل را به کمیتهای مداری تبدیل می¬کنیم تا کل مدار به روش مداری حل شود. با این تکنیک علاوه بر اینکه به اندازه کافی و مناسبی اثرات فرکانس بالای مدار در نظر گرفته می¬شود، اجرای تحلیل ساده¬تر و سریعتر خواهد شد. مداری که ما برای این کار انتخاب کرده¬ایم، یک تقویت کننده توان است که جزء اصلی هر فرستنده مایکروویوی است. چون تقویت کننده¬های توان دارای اثرات غیرخطی هستند لذا روش مداری که برای تحلیل آن باید به کار برده شود، باید غیر خطی باشد. با توجه به روشهای موجود بهترین روش برای تحلیل مدارهای فرکانس بالا روش توازن هارمونیکی است که ما هم از این روش استفاده کرده¬ایم. ابتدا یک تقویت کننده توان طراحی شد، به منظور داشتن حداکثر توان در خروجی و حداکثر خطی بودن این تقویت کننده در کلاس A بایاس شد. برای مدل کردن ترانزیستور مورد استفاده از مدل تجربیCurtice3 استفاده شده است. تقویت کننده طراحی شده با دو نرم افزار ADS2002 و Microwave Office2002 شبیه سازی شد تا صحت عملکرد آن ثابت شود. چون در ادامه پروژه لازم خواهد شد، نتایج حاصل از تحلیل میدانی (FDTD) و مدلسازی عصبی را در برنامه توازن هارمونیکی قرار دهیم لذا داشتن این برنامه ضروری است. بدین خاطر با نرم افزار متلب برنامه¬ای بر مبنای الگوریتم توازن هارمونیکی نوشته شد همچنین برنامه دیگری هم بر اساس الگوریتم FDTD نوشته شد تا شبکه¬های تطبیق تقویت کننده (قسمتهای پسیو مدار) به صورت میدانی حل شوند و پارامترهای پراکندگی آن به دست آیند. این اطلاعات در کد توازن هارمونیکی نوشته شده برای تهیه ماتریس ادمیتانس بخش خطی مدار استفاده می¬شود، تا بدین ترتیب کل مدار تحلیل گردد. از کارهای دیگر انجام شده در این پروژه، نشان دادن قابلیت شبکه¬های عصبی در مدل کردن قطعات فعال مایکروویو است. بدین منظور برای ترانزیستور مورد استفاده یک مدل عصبی ایجاد شد که از اطلاعات مدل Curtice3 آموزش یافته است. توانایی این مدل عصبی، با به کارگیری آن در برنامه توازن هارمونیکی نوشته شده، نشان داده شده است

 

تقویت‌کننده‌ی قدرت کلاس c
تقویت کننده های قدرت کلاس A، B وAB که قبلاً با آنها آشنا شده ایم را به عنوان تقویت کننده های خطی در نظر می گرفتیم به طوری که دامنه و فاز سیگنال خروجی به طور خطی وابسته به سیگنال ورودی بود. در کاربردهایی که خطی بودن ضرورتی ندارد و راندمان حیاتی تر است ، تقویت کننده های کلاس C،D ،E و F بکار می روند. آمپلی فایرهایی که برای عمل در کلاس AB طراحی می شوند به گونه ای بایاس می شدند که جریان کالکتور در بخشی از یک دوره تناوب سیگنال ورودی صفر است(در حالت Single End). برای انجام این کار ولتاژ بایاس مستقیم را کمتر از ولتاژ نقطه پیک سیگنال ورودی در نظر می گیرند.با انجام این کار بایاس اتصال بیس- امیتر در مدت زمانی از یک دوره تناوب که ولتاژ سیگنال ورودی از ولتاژ بایاس مستقیم بیشتر می شود معکوس می گردد. بنابراین جریان کالکتور در بیشتر از 180 درجه و کمتر از 360 درجه از سیگنال ورودی جاری می شود. در تقویت کننده کلاس C جریان کالکتور در کمتر از نصف یک دوره تناوب جاری می شود. شکل زیر عملکرد این تقویت کننده را نشان می دهد این نوع کلاس با معکوس کردن بایاس اتصال امیتر- بیس بدست می آید.که این کار باعث می شود نقطه کار dc در زیر ناحیه قطع قرار گیرد و تنها به قسمتی از سیگنال ورودی که بر بایاس معکوس غلبه می کند اجازه جاری کردن جریان در کالکتور را می دهد. کلاس A، B ، AB و C می توانند با یک زاویه هدایت Y معین شوند.



عملکرد تقویت کننده های قدرت معمولا با دو پارامتر مهم مورد ارزیابی قرار میگیرد. 1) راندمان efficiency 2) بازدهش fidelity
Fidelity در لغت به معنی "وفاداری" است و در این جا به میزان وفاداری یا بازدهش تقویت کننده به سیگنال ورودی اشاره دارد. هر چه شکل موج خروجی از نظر ظاهری به ورودی نزدیک تر باشد fidelity بالا تری دارد( می توان آن را عبارت مقابل اعوجاج دانست). کلاس A دارای بازدهش بسیار بالایی می باشد.کلاس AB نسبت به A بازدهش کمتر و کلاس C وB بازدهش نسبتا ضعیفی دارند.

راندمان یک تقویت کننده نسبت توان سیگنال خروجی به کل توان سیگنال ورودی است. تقویت کننده دارای دو منبع توان ورودی است یکی از سیگنال ورودی ودیگری از منبع تغذیه. یک تقویت کننده که در 360 درجه از سیگنال ورودی عمل می کند توان مصرفی بیشتری نسبت به نوع دیگری دارد دارد که در 180 درجه ااز سیگنال ورودی عمل می کند . با مصرف توان بیشتر از ورودی تقویت کننده توان در دسترس کمتری را برای سیگنال خروجی در اختیار قرار میدهد و در نتیجه آن راندمان تقویت کننده پایین می آید. در کلاسA تقویت کننده در 360 درجه سیگنال ورودی عمل می کند و در نتیجه نیاز به توان ورودی بسیار بالایی از منبع تغذیه است.در نتیجه توان خروجی کلاس A در مقایسه با توان ورودی بسیار پایین است. پس خودتان باید به این نتیجه رسیده باشید که کلاس C بیشترین راندمان را در بین /2 درجه از سیگنال عمل هدایت را انجامتقویت کننده های قدرت دارد چون در کمتر از می دهد. البته تمام بحث های بالا با فرض single-end بودن مدار انجام شد و در صورتی که بصورت push-pull بسته شود راندمان وبازدهش دو برابر می شود.
کلاس C در تقویت کننده فرستنده های رادیویی کاربرد زیادی دارد چون به راحتی می توان با قرار دادن یک فیلتر RLC در پایه کالکتور اعوجاج را از بین برد ومدار را بر روی فرکانس کار مطلوب تنظیم کرد. تقویت کننده های دیگری در کلاس D ، E، F ، G و H و ... نیز وجود دارند که امیدواریم در نسخه های بعدی مجله بتوانیم در باره آن صحبت کنیم .
تقویت کننده ها
در مدارات الکترونیکی همواره دو پارامتر مهم وجود دارد
1) جریان
2) ولتاژ
جریان، میزان حامل های الکتریکی است که از هادی عبور می کند واحد آن آمپر(A) است .یک آمپر واحد بزرگی است . از لامپهای 100وات جریانی معادل45/0آمپر عبور می کند معمولاً جریان را با واحد میلی آمپر (mA)نشان می دهند . هرهزار میلی آمپر یک آمپر است یعنی از یک لامپ 100 وات جریانی معادل 450میلی آمپر عبور می کند .جریان را با علامت I نشان می دهند
ولتاژ، پتانسیل و فشاری ایست که حامل های الکتریکی دارند . ولتاژ را با واحد ولت(v) نشان می دهند . ولتاژ را با علامت (V) نشان می دهند .
حاصل ضرب این دو مولفه یعنی ولتاژ و جریان را اصطلاحاً توان گویند .واحد توان وات است (W) و آنرا با علامت P نیز نشان می دهند .به عنوان مثال یک لامپ که برای مصارف خانگی ساخته می شود و ولتاژی معادل 220 ولت نیاز دارد اگر جریانی معادل 450میلی آمپر از آن عبور کند توانی معادل 100 وات مصرف خواهد کرد .
برای اینکه مفهوم ولتاژ و جریان را بهتر متوجه بشوید فرض کنید منبعی وجود دارد که می تواند تا 10 آمپر جریان بدهد . اما ولتاژ بسیار کمی دارد . اگر شما دو سر این منبع را بگیرید برق شما را نخواهد گرفت . چون با اینکه حامل های الکتریکی می توانند تعداد بسیار زیادی باشد. اما این حاملها پتانسیل یا فشار لازم برای عبور از بدن شما را نخواهند داشت . مثل باطری ماشین .
حالت دوم منبعی که ولتاژ بالایی دارد اما نمی تواند جریان زیادی تولید کند . در این حالت حامل های الکتریکی پتانسیل بالایی دارند اما تعدادشان انقدر کم است که شما دچار برق گرفتگی نخواهد شد .

 

 

فرمت این مقاله به صورت Word و با قابلیت ویرایش میباشد

تعداد صفحات این مقاله  29  صفحه

پس از پرداخت ، میتوانید مقاله را به صورت انلاین دانلود کنید


دانلود با لینک مستقیم


دانلود مقاله تقویت کننده توان

تحقیق طراحی و ساخت جبران کننده ایستای توان راکتیو منبع ولتاژی برای جبران بار

اختصاصی از فی دوو تحقیق طراحی و ساخت جبران کننده ایستای توان راکتیو منبع ولتاژی برای جبران بار دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق طراحی و ساخت جبران کننده ایستای توان راکتیو منبع ولتاژی برای جبران بار


تحقیق طراحی و ساخت جبران کننده ایستای توان راکتیو منبع  ولتاژی برای جبران بار

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)


تعداد صفحه:17

فهرست:

هدف، طراحی و ساخت یک جبران کننده ایستای توان راکتیو از نوع منبع ولتاژی و بصورت چند سطحی بوده‌است، یک اینورتر سه سطحی از نوع اینورترهای متوالی با توان نامی +3KVAR طراحی و ساخته شده‌است، و یک روش کنترلی بر اساس کنترل اختلاف فاز با استفاده از مدولاسیون برنامه‌ریزی و بهینه شده اجرا شده‌است.

     مدارات پروژه شامل برد راه‌انداز کلیدهای الکترونیک قدرت، بردهای اندازه‌گیری ولتاژ و جریانهای فیدبک، برد پردازشگر اصلی، برد حفاظت از خازنها بوده‌است.

 

1-    مقدمه

     از پیشرفته‌ترین کنترل کننده‌های توان راکتیو که در دو دهة اخیر به مدد پیشرفت ساخت ادوات نیمه‌هادیهای قدرت با توان بالا ارائه شده‌اند جبران کننده‌های ایستای توان راکتیو ( SVC ) می‌باشند. این جبران کننده‌ها در مقایسه با جبران کننده‌های دیگر مزایایی مانند قابلیت انعطاف بیشتر و سرعت پاسخ بالاتر دارند، یکی از آخرین انواع SVC نوع اینورتری آن معروف به STATCOM می‌باشد که نسبت به انواع قبلی مزایایی مانند استفاده از حداقل عناصر ذخیره کننده انرژی، فضای کمتر مورد نیاز و سرعت پاسخ بالاتر دارد، در این جبران کننده‌ها از مبدلهای DC/AC استفاده می‌شود که در حالت کلی می‌توانند چند سطحی باشند. اینورترهای چند سطحی نسبت به اینورترهای متداول قابلیت کار در توانها و ولتاژهای بالاتری دارند و همچنین در فرکانس کلیدزنی مشابه میزات آلودگی کمتری به لحاظ هارمونیکی ایجاد می‌کنند.

      از آنجا که برای نمونه آزمایشگاهی طراحی، ساخت و تست یک سیستم تک فاز راحتتر است، جبران کننده مورد نظر بصورت تکفاز در نظر گرفته شد ولی در طراحی همواره سعی شد تا ملاحظاتی در نظر گرفته شود که سیستم قابل گسترش به سه‌فاز هم باشد و یا اینکه بتوان برای هر فاز یک جبران کننده مستقل در نظر گرفت.طراحی براساس دو اینورتر متوالی انجام شده که یک اینورتر پنج سطحی تکفاز را تشکیل می‌دهد.

     در طراحی سعی شده که همه متغیرهای لازم بصورت نرم‌افزاری وجود داشته باشند تا انواع روشهای مدولاسیون و کنترل قابل پیاده سازی باشند و در


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق طراحی و ساخت جبران کننده ایستای توان راکتیو منبع ولتاژی برای جبران بار

مقاله کنترل توان در CDMA

اختصاصی از فی دوو مقاله کنترل توان در CDMA دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقاله کنترل توان در CDMA


مقاله کنترل توان در CDMA

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)


تعداد صفحه:10

فهرست:

کنترل توان در CDMA

یکی از مفاهیم سوال انگیزی که غالباً توسط محققین مطرح می شود، “کنترل بهینه قدرت” می باشد. کنترل قدرت یکی از فاکتورهای اساسی در سیستمهای سلولی CDMA می باشد که ارتباط مستقیمی و پایاپایی با ظرفیت و نگهداری سیستم دارد. با مطالعاتی که در مورد تکنیکهای تخصصی کنترل بهینه توان صورت گرفته، ملاحظه شده که دست یافتن به این امر بخصوص در محیطهای دارای تضعیف (fading inu) امری بسیار مشکل می باشد.

در این فصل ما به معرفی و بیان مفاهیم کنترل توان خواهیم پرداخت، همچنین به نقش آن در reverse- link, forward- link و تاثیرات کنترل توان در ارتباط با ظرفیت و نگهداری سیستم سلولی.

همچنین به آنالیز کانالهای مختلف رادیو برای اینکه طرح کنترل قدرت امکان ردیابی صحیح را به ما بدهد خواهیم پرداخت. سپس، تکنیکهای قابل قبول کنترل قدرت معرفی خواهد شد و معایب این روشها نیز بیان خواهد شد. یک تکنیک جدید کنترل قدرت بر مبنای برآوردهای  مطرح خواهد شد و نقش آن در محیطهای با افت سریعاست


دانلود با لینک مستقیم


مقاله کنترل توان در CDMA

دانلود پایان نامه بررسی کودکان استثنایی (کم توان ذهنی)

اختصاصی از فی دوو دانلود پایان نامه بررسی کودکان استثنایی (کم توان ذهنی) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود پایان نامه بررسی کودکان استثنایی (کم توان ذهنی)


دانلود تحقیق بررسی کودکان استثنایی (کم توان ذهنی)

آنچه که ذهن نگارنده را به خود مشغول و موضوع بحث موجود گردیده یک پدیده ی اجتماعی و انسانی است که باید به آن توجه مذبول داشت. موضوعی که باعث شد که برای توجه به انسان و توانایی های او به کنکاش و جستجو بپردازم. این که چه چیزی باعث می شود انسانی دارای توانایی های می باشد و دیگری فاقد آن توانایی ها و این که چگونه بتوانیم با ناتوانایی های آن کنار بیاییم و به آن کمک کنیم تا بتواند با توانایی های اندکی که دارد با محیط اطراف ارتباط برقرار کند و بتواند زندگی روزمره خود را بگذراند و موضوع تحقیق و پژوهش کودکان عقب مانده ذهنی است که افکار مرا بر آن داشت که درجه و توانایی های این کودکان را شناسایی و با دنیای آنها بیشتر آشنا شوم. دیدگاههای متفاوتی مطرح شد که در صفحه های آتی با آن رو به رو خواهیم شد. در ابتدا با تاریخچه ی کودکان استثنایی و دسته بندی آن و سپس در مورد کودکان کم توان ذهنی و گروه بندی های مطرح شده است . در جایی دیگر علل به وجود آمدن کودکان کم توان ذهنی از جمله علل ژنتیکی و پدیده های قبل و بعد از تولد را مطرح کرده ایم. و در پایان نتیجه گیری آن را عنوان خواهیم کرد. امیدواریم که روزی رسد که انسانها دیدی وسیع و درست نسبت به کودکان کم ذهنی داشته باشند و برخوردی صحیح و فاقد ترحم به آنها داشته باشند.
مقدمه
انسان به عنوان اشرف مخلوقات ایزد منان، خلق شده تا از فرصت های به دست آمده کمال استفاده را ببرد و به کمال واقعی که همان قرب خداست، دست یابد. یکی از ویژگی های مهم انسان، قوای ذهنی رشد یافته و عقل و هوشی است که در وجود او به عنوان یک موهبت الهی به ودیعه نهاده شده و همین ویژگی او را از سایر موجودات متمایز ساخته و به دلیل دارا بودن این نعمت ، خداوند او را اشرف مخلوقات و مسجود فرشتگان و خلیفه خود بر روی زمین قرار داده است. اما به دلایل متعددی، معدودی از افراد انسانی از داشتن چنین توانایی و ظرفیتی یا محروم بوده یا از حد طبیعی متناسب با سن خود پایین تر می باشند، این محرومیت یا کمبود و نقصان آنان را از سایر افراد متمایز ساخته و برای آنان نیازها و محدودیت ها و ناتوانایی ها را تحمیل می نماید که این افراد با توجه به ویژگی ها و خصوصیات خاصی که دارند در گروه افراد استثنایی قرار می گیرند. البته باید توجه نمود که واژه استثنایی به طور اعم و به معنای دقیق علمی خود نمی تواند فقط به گروههای خاصی از افراد جامعه اطلاق شود، چرا که در حقیقت همه افراد از نظر خصوصیات مختلف جسمانی، ذهنی، روانی و عاطفی و اجتماعی و غیره یکسان نبوده و نسبت به همدیگر دارای تفاوت های خاصی می باشند. لذا بدین ترتیب هر فرد نسبت به افراد دیگر استثنایی می باشد. آنچه غالباً «کودک استثنایی» می گوئیم بدین معناست که کودک از نظر هوشی و جسمی و روانی و اجتماعی به میزان قابل توجهی نسبت به دیگر همسالان خود متفاوت می باشد که ناگزیر، نیازمند به توجه خاص و آموزش و خدمات فوق العاده ای می باشد. استثنایی بودن مشکلی است که نه فقط برای افراد استثنایی، بلکه مشکلی است که زندگی همه را تحت تأثیر قرار میدهد.

چکیده 4
مقدمه 5
اهمیت و ضرورت پژوهش 7
پیشینه و تاریخچه ی تحقیق در ایران8
تاریخچه کودکان استثنایی10
تعریف کودکان استثنایی 11
گروه بندی دانش آموزان استثنایی12
جدول براورد شیوع دانش آموزان استثنایی 13
تاریخچه ی کودکان کم توان ذهنی 14
رویدادهای مهم در رابطه با عقب ماندهای ذهنی 15
انجمن حمایت از کودکان عقب مانده (AHRC)16
انجمن کودکان و خانواده (ACF)17
دیدگاه تردگلد18
دیدگاه کانر 18
تعریف بر اساس نمره ی آزمون ترمن20
تعریف AAMD20
ویژگی های رشد افراد عقب مانده ی ذهنی از نظر AAMD22
دیدگاه ریچارد هانگر فورد22
دیدگاه ادگاردال23
تعریف عقب ماندگان و کم توانان ذهنی در DSM23
ویژگی های کودکان عقب مانده ذهنی26
مقایسه ی کودک نرمال و کودک عقب مانده ذهنی28
طبقه بندی کودکان کم توان ذهنی یا عقب مانده ذهنی 32
گروه کودکان دیر آموز 32
گروه کودکان آموزش پذیر 34
گروه کودکان تربیت پذیر 37
گروه کودکان حمایت پذیر (کاملاً متکی)39
رفتارهای جنسی در کودکان عقب مانده ذهنی 40
مشکل ها و مسایل جنس افراد عقب مانده ذهنی 41
نقاشی کودکان عقب مانده ذهنی44
سبب شناس46
علل قبل از تولد47
علل مربوط به هنگام تولد56
علل بعد از تولد54
عوامل فرهنگی و تربیتی و عقب ماندگی فرهنگی57
پیشگیری58
راهنمای گسترش برنامه ها و خدمات برای کودکان عقب مانده ذهنی 60
از بین بردن مرز میان آموزش عادی و ویژه61

 

شامل 63 صفحه فایل word


دانلود با لینک مستقیم


دانلود پایان نامه بررسی کودکان استثنایی (کم توان ذهنی)