فی دوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فی دوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT

اختصاصی از فی دوو تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT


تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT

تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT

به همراه 16 اسلاید آماده ارائه در قالب پاورپوینت

 

 

 

مقدمه:

ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون،[1]HEMT، که بر اساس مواد نیمه هادی III-Vو معمولا برای فرکانسهای بالا  ساخته می شوند، جایگاه ویژه ای در طراحی تقویت کننده های کم نویز فرکانس بالا و Wide band دارند. ترانزیستور های  HEMT در واقع  مشتق  MESFET  ها می باشند.الکترون در MESFET  از یک لایه n-GaAs تغلیظ شده عبور می کند، و با توجه به اینکه قابلیت تحرک الکترون در n-GaAs نسبت به GaAs در حدود  کمتر می باشد، به دلیل پراکندگی( Scatter)  الکترون ها ناشی از Ionized dopant’s  ، بنابراین با جدا سازی کانال عبور الکترون از لایه  n-GaAs می توان به عملکرد نویز، بهره و فرکانسی  بهتری  نسبت به MESFET دست یافت. HEMT از دو ماده متمایز طبق آنچه گفته شد در در ساختارش استفاده  می شود( مطابق شکل -1). تفاوت در شکاف انرژی باعث به وجود آمدن یک ناپیوستگی در باند هدایت و ظرفیت در محل تماس می شود یا به عبارتی پیوند چندگن یک چاه کوانتومی در باند هدایت درست می کند. نیمه هادی با باند انرژی بزرگتر باناخاصی و نیمه هادی با باند انرژی کوچکتر بدون ناخالصی می باشد، در نتیجه الکترونهای باند هدایت از نیمه هادی با ناخالصی به لایه بدون ناخالصی به دلیل شکاف انرژی کمترآن حرکت می کنند، ویک لایه گاز الکترون دو بعدی بین لایه های بدون الایش و نوع n در امتداد پیوند چندگن ایجاد می شود. ناپیوستگی باند انرژی یک سد انرژی  می باشد  که الکترونها را حبس می کند]1[.

روش کار:

طرح حاضر به طور کلی به ساخت وسایل میکروالکترونیک مربوط است وبه طور خاص درباره ساخت گیت-T برای ترانزیستورهای اثر میدانی مثل یک ترانزیستور با قابلیت تحرک بالای الکترونHEMT.در زیر مراحل ساخت یک HEMT با گیت-T به طور کامل شرح داده شده است.

با توجه به شکل -2 اولین مرحله در فرایند ساخت فراهم کردن یک زیر لایه 10 است که می تواند شامل Si,Ge,GaAs یا مواد مشابه باشد که در اینجا ازInP  استفاده شده  بر روی پایه نیمه-عایقInP 12 وساختار  لایه اپیتکسی نیمه رسانا 14 بر روی لایه 12 تشکیل شده است که شامل لایه تغلیظ شده دهنده روی لایه کانال تغلیظ نشده که درادامه  توضیح داده خواهد شد.در شکل-2 یک ماسک فتورزیست 16  بوسیله فتولیتوگرافی بر روی سطح ا a14 ز لایه اپیتکسی 14 تشکیل شده است،سپس سطح a14 در معرض کاشت یونها قرار میگیرد که سبب می شود نواحی پوشانده نشده توسط ماسک16 بطور الکتریکی عایق شوند،هدف از این مرحله ایزوله کردن زیرلایه 10 است،یونهای پیشنهادی دراین مرحله اکسیژن وبور هستند. بعد از کاشت، لایه اپیتکسی 14 شامل ناحیه داخل b14که توسط ماسک  16حفاظت شده است وناحیه بیرونی c14که بوسیله کاشت یون عایق شده است،می باشد.

 

ممکن است هنگام انتقال از فایل ورد به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است

متن کامل را می توانید در ادامه دانلود نمائید

چون فقط تکه هایی از متن برای نمونه در این صفحه درج شده است ولی در فایل دانلودی متن کامل همراه با تمام ضمائم (پیوست ها) با فرمت ورد word که قابل ویرایش و کپی کردن می باشند موجود است

 


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT
نظرات 0 + ارسال نظر
امکان ثبت نظر جدید برای این مطلب وجود ندارد.