دانلود پایان نامه ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی (TFET ) و بهینه سازی مشخصات آن

اختصاصی از فی دوو دانلود پایان نامه ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی (TFET ) و بهینه سازی مشخصات آن دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی

 مقدمه. 1

فصل اول. 3

مقدمه ای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربردهای آن. 3

1-1 مقدمه. 3

1-2 گونه های مختلف کربن در طبیعت.. 4

1-2-1 کربن بیشکل. 4

1-2-2 الماس... 4

1-2-3  گرافیت.. 5

1-2-4 فلورن و نانو لوله های کربنی.. 5

1-3 ترانزیستورهای اثر میدانی فلز- اکسید - نیمرسانا و ترانزیستور های اثرمیدانی نانولوله ای کربنی.. 8

فصل 2. 11

بررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانولولههای کربنی.. 11

2-1 مقدمه. 11

2-2 ساختار الکترونی کربن.. 12

2-2-1 اربیتال p2 کربن.. 12

2-2-2 روش وردشی.. 13

2-2-3 هیبریداسون اربیتالهای کربن.. 15

2-3 ساختار هندسی گرافیت و نانولوله ای کربنی.. 19

2-3-1 ساختار هندسی گرافیت.. 19

2-3-2 ساختار هندسی نانولوله های کربنی.. 22

2-4 یاختهی واحد گرافیت و نانولوله ای کربنی.. 26

2-4-1 یاختهی واحد صفحه ی گرافیت.. 26

2-4-2 یاخته واحد نانولوله ای کربنی.. 27

2-5 محاسبه ساختار نواری گرافیت و نانولوله ای کربنی.. 29

2-5-1 مولکولهای محدود. 29

2-5-2 ترازهای انرژی گرافیت.. 31

2-5-3 ترازهای انرژی نانولوله ای کربنی.. 33

2-5-4 چگالی حالات در نانولوله ای کربنی.. 37

2-6 نمودار پاشندگی فونونها در صفحه ی گرافیت و نانولوله های کربنی.. 38

2-6-1 مدل ثابت نیرو و رابطه ی پاشندگی فونونی برای صفحه ی گرافیت.. 39

2-6-2 رابطه ی پاشندگی فونونی برای نانولوله های کربنی.. 46

فصل 3. 48

پراکندگی الکترون فونون. 48

3-1 مقدمه. 48

3-2 تابع توزیع الکترون. 49

3-3 محاسبه نرخ پراکندگی کل. 53

3-4 شبیه سازی پراکندگی الکترون – فونون. 56

3-6 ضرورت تعریف روال واگرد. 59

فصل 4. 62

بحث و نتیجه گیری.. 62

4-1 مقدمه. 62

4-2 نرخ پراکندگی.. 62

4-3 تابع توزیع در شرایط مختلف فیزیکی.. 64

4-4 بررسی سرعت میانگین الکترونها، جریان، مقاومت و تحرک پذیری الکترون. 66

4-4-1 بررسی توزیع سرعت در نانولوله های زیگزاگ نیمرسانا 66

4-4-2 بررسی جریان الکتریکی در نانولوله های زیگزاگ نیمرسانا 68

4-4-3 بررسی مقاومت نانولوله های زیگزاگ نیمرسانا 68

4-4-3 بررسی تحرک پذیری الکترون در نانولوله های زیگزاگ نیمرسانا 69

نتیجه گیری.. 71

پیشنهادات... 72

ضمیمه ی (الف) توضیح روال واگرد. 73

منابع.. 75

چکیده انگلیسی.. 78

 فهرست شکل­ها

   

 شکل1-1. گونه­های مختلف کربن... 6

شکل 1-2. ترانزیستور اثر میدانی 9

شکل 1-3. ترانزیستور نانولوله­ی کربنی 10

شکل 2-1. اربیتال ...... 15

شکل 2-2. هیبرید .... 17

شکل 2-3. ساختار ..... 18

شکل 2-4. شبکه گرافیت 21

شکل 2-5. یاخته­ی واحد گرافیت 21

شکل2-6. یاخته­ی واحدنانولوله­ی کربنی 23

شکل 2-7. گونه­های متفاوت نانولوله­های کربنی 25

شکل 2- 8. تبهگنی خطوط مجاز در نانولوله­ی کربنی 36

شکل 2-9. مؤلفه­های ماتریس ثابت نیرو. 43

 فهرست جدول­ها

 جدول 2-1 عناصر ماتریس ثابت نیرو. 43

 فهرست نمودارها

نمودار 2-1. نوار انرژی الکترونی گرافیت 33

نمودار 2-2. نوار انرژی الکترونی نانولوله­ی کربنی. 36

نمودار 2-3. چگالی حالات در نانولوله­ی کربنی 38

نمودار 2-4. نوار سه بعدی انرژی فونونی گرافیت 45

نمودار 2-5. نوار انرژی فونونی در راستای خطوط متقارن منطقه اول بریلوئن 45

نمودار 2-6. نوار انرژی فونونی نانولوله­ی کربنی 47

نمودار 3-1. سطح فرمی در نانولوه­های کربنی... 54

نمودار 3-2. منطقه­ی تکرار شونده در نانولوله­های کربنی 60

نمودار 3-3. نقاط متقارن در مسئله پراکندگی 61

نمودار 4-1.  نرخ پراکندگی در دو نانولوله­ی زیگزاگ  و .......... 63

نمودار 4-2. وابستگی دمایی نرخ پراکندگی 63

نمودار4-3. تابع توزیع در میدان ضعیف و قوی  نانولوله­ی 64

نمودار4-4. تابع توزیع در میدان ضعیف و قوی  نانولوله­ی 65

نمودار 4-5.  وابستگی سرعت میانگین الکترون به دما در نانولوله­ی کربنی... 67

نمودار 4-6.  توزیع سرعت در نانولوله­های زیگزاگ... 67

نمودار 4-7. نمودار جریان – ولتاژ در مورد نانولوله­های زیگزاگ... 68

نمودار 4-8. مقاومت نانولوله­های مختلف ­ 69

فهرست پیوست­ها

پیوست الف: توضیح روال واگرد. 73

چکیده انگلیسی... 78

 شامل 82صفحه

فایل ورد و قابل ویرایش

تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT

اختصاصی از فی دوو تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT

به همراه 16 اسلاید آماده ارائه در قالب پاورپوینت

مقدمه:

ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون،[1]HEMT، که بر اساس مواد نیمه هادی III-Vو معمولا برای فرکانسهای بالا  ساخته می شوند، جایگاه ویژه ای در طراحی تقویت کننده های کم نویز فرکانس بالا و Wide band دارند. ترانزیستور های  HEMT در واقع  مشتق  MESFET  ها می باشند.الکترون در MESFET  از یک لایه n-GaAs تغلیظ شده عبور می کند، و با توجه به اینکه قابلیت تحرک الکترون در n-GaAs نسبت به GaAs در حدود  کمتر می باشد، به دلیل پراکندگی( Scatter)  الکترون ها ناشی از Ionized dopant’s  ، بنابراین با جدا سازی کانال عبور الکترون از لایه  n-GaAs می توان به عملکرد نویز، بهره و فرکانسی  بهتری  نسبت به MESFET دست یافت. HEMT از دو ماده متمایز طبق آنچه گفته شد در در ساختارش استفاده  می شود( مطابق شکل -1). تفاوت در شکاف انرژی باعث به وجود آمدن یک ناپیوستگی در باند هدایت و ظرفیت در محل تماس می شود یا به عبارتی پیوند چندگن یک چاه کوانتومی در باند هدایت درست می کند. نیمه هادی با باند انرژی بزرگتر باناخاصی و نیمه هادی با باند انرژی کوچکتر بدون ناخالصی می باشد، در نتیجه الکترونهای باند هدایت از نیمه هادی با ناخالصی به لایه بدون ناخالصی به دلیل شکاف انرژی کمترآن حرکت می کنند، ویک لایه گاز الکترون دو بعدی بین لایه های بدون الایش و نوع n در امتداد پیوند چندگن ایجاد می شود. ناپیوستگی باند انرژی یک سد انرژی  می باشد  که الکترونها را حبس می کند]1[.

روش کار:

طرح حاضر به طور کلی به ساخت وسایل میکروالکترونیک مربوط است وبه طور خاص درباره ساخت گیت-T برای ترانزیستورهای اثر میدانی مثل یک ترانزیستور با قابلیت تحرک بالای الکترونHEMT.در زیر مراحل ساخت یک HEMT با گیت-T به طور کامل شرح داده شده است.

با توجه به شکل -2 اولین مرحله در فرایند ساخت فراهم کردن یک زیر لایه 10 است که می تواند شامل Si,Ge,GaAs یا مواد مشابه باشد که در اینجا ازInP  استفاده شده  بر روی پایه نیمه-عایقInP 12 وساختار  لایه اپیتکسی نیمه رسانا 14 بر روی لایه 12 تشکیل شده است که شامل لایه تغلیظ شده دهنده روی لایه کانال تغلیظ نشده که درادامه  توضیح داده خواهد شد.در شکل-2 یک ماسک فتورزیست 16  بوسیله فتولیتوگرافی بر روی سطح ا a14 ز لایه اپیتکسی 14 تشکیل شده است،سپس سطح a14 در معرض کاشت یونها قرار میگیرد که سبب می شود نواحی پوشانده نشده توسط ماسک16 بطور الکتریکی عایق شوند،هدف از این مرحله ایزوله کردن زیرلایه 10 است،یونهای پیشنهادی دراین مرحله اکسیژن وبور هستند. بعد از کاشت، لایه اپیتکسی 14 شامل ناحیه داخل b14که توسط ماسک  16حفاظت شده است وناحیه بیرونی c14که بوسیله کاشت یون عایق شده است،می باشد.

ممکن است هنگام انتقال از فایل ورد به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است

متن کامل را می توانید در ادامه دانلود نمائید

چون فقط تکه هایی از متن برای نمونه در این صفحه درج شده است ولی در فایل دانلودی متن کامل همراه با تمام ضمائم (پیوست ها) با فرمت ورد word که قابل ویرایش و کپی کردن می باشند موجود است