فی دوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فی دوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT

اختصاصی از فی دوو تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT


تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT

تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT

به همراه 16 اسلاید آماده ارائه در قالب پاورپوینت

 

 

 

مقدمه:

ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون،[1]HEMT، که بر اساس مواد نیمه هادی III-Vو معمولا برای فرکانسهای بالا  ساخته می شوند، جایگاه ویژه ای در طراحی تقویت کننده های کم نویز فرکانس بالا و Wide band دارند. ترانزیستور های  HEMT در واقع  مشتق  MESFET  ها می باشند.الکترون در MESFET  از یک لایه n-GaAs تغلیظ شده عبور می کند، و با توجه به اینکه قابلیت تحرک الکترون در n-GaAs نسبت به GaAs در حدود  کمتر می باشد، به دلیل پراکندگی( Scatter)  الکترون ها ناشی از Ionized dopant’s  ، بنابراین با جدا سازی کانال عبور الکترون از لایه  n-GaAs می توان به عملکرد نویز، بهره و فرکانسی  بهتری  نسبت به MESFET دست یافت. HEMT از دو ماده متمایز طبق آنچه گفته شد در در ساختارش استفاده  می شود( مطابق شکل -1). تفاوت در شکاف انرژی باعث به وجود آمدن یک ناپیوستگی در باند هدایت و ظرفیت در محل تماس می شود یا به عبارتی پیوند چندگن یک چاه کوانتومی در باند هدایت درست می کند. نیمه هادی با باند انرژی بزرگتر باناخاصی و نیمه هادی با باند انرژی کوچکتر بدون ناخالصی می باشد، در نتیجه الکترونهای باند هدایت از نیمه هادی با ناخالصی به لایه بدون ناخالصی به دلیل شکاف انرژی کمترآن حرکت می کنند، ویک لایه گاز الکترون دو بعدی بین لایه های بدون الایش و نوع n در امتداد پیوند چندگن ایجاد می شود. ناپیوستگی باند انرژی یک سد انرژی  می باشد  که الکترونها را حبس می کند]1[.

روش کار:

طرح حاضر به طور کلی به ساخت وسایل میکروالکترونیک مربوط است وبه طور خاص درباره ساخت گیت-T برای ترانزیستورهای اثر میدانی مثل یک ترانزیستور با قابلیت تحرک بالای الکترونHEMT.در زیر مراحل ساخت یک HEMT با گیت-T به طور کامل شرح داده شده است.

با توجه به شکل -2 اولین مرحله در فرایند ساخت فراهم کردن یک زیر لایه 10 است که می تواند شامل Si,Ge,GaAs یا مواد مشابه باشد که در اینجا ازInP  استفاده شده  بر روی پایه نیمه-عایقInP 12 وساختار  لایه اپیتکسی نیمه رسانا 14 بر روی لایه 12 تشکیل شده است که شامل لایه تغلیظ شده دهنده روی لایه کانال تغلیظ نشده که درادامه  توضیح داده خواهد شد.در شکل-2 یک ماسک فتورزیست 16  بوسیله فتولیتوگرافی بر روی سطح ا a14 ز لایه اپیتکسی 14 تشکیل شده است،سپس سطح a14 در معرض کاشت یونها قرار میگیرد که سبب می شود نواحی پوشانده نشده توسط ماسک16 بطور الکتریکی عایق شوند،هدف از این مرحله ایزوله کردن زیرلایه 10 است،یونهای پیشنهادی دراین مرحله اکسیژن وبور هستند. بعد از کاشت، لایه اپیتکسی 14 شامل ناحیه داخل b14که توسط ماسک  16حفاظت شده است وناحیه بیرونی c14که بوسیله کاشت یون عایق شده است،می باشد.

 

ممکن است هنگام انتقال از فایل ورد به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است

متن کامل را می توانید در ادامه دانلود نمائید

چون فقط تکه هایی از متن برای نمونه در این صفحه درج شده است ولی در فایل دانلودی متن کامل همراه با تمام ضمائم (پیوست ها) با فرمت ورد word که قابل ویرایش و کپی کردن می باشند موجود است

 


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT

مقاله پراکندگی و پراش

اختصاصی از فی دوو مقاله پراکندگی و پراش دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقاله پراکندگی و پراش


مقاله پراکندگی و پراش

دانلود مقاله پراکندگی و پراش

این فایل در قالب Word قابل ویرایش، آماده پرینت و ارائه به عنوان پروژه پایانی می باشد

قالب: Word

تعداد صفحات: 36

توضیحات:

پراکندگی و پراش

الکترون یک ذره­ ی سبک و دارای بار منفی است. بنابراین به آسانی هنگام نزدیک شدن به الکترون‌ها دیگر یا هسته­ ی اتم منحرف می‌شود. این برهم کنش‌های کولنی (الکترواستاتیک) باعث پراکندگی الکترون است، که سبب می‌شود فرآیند TEM امکان‌پذیر شود. همچنین در مورد ماهیت موجی الکترون که باعث اثر پراش می‌شود، بحث خواهیم کرد. چیزی که در حال حاضر می‌توان گفت این است که اگر الکترون‌ها پراکنده نمی‌شدند، هیچ مکانیزم بمی برای ایجاد تصاویر TEM، DPS و منبع اطلاعات طیف ‌سنجی وجود نداشت. بنابراین ضروری است که برای تعبیر اطلاعات TEM هر دو روش ذره­ ای و موجی پراکندگی الکترون را درک کنیم. پراکندگی الکترون از مواد، فیزیک پیچیده‌ای دارد اما لازم نیست کسی که با میکروسکوپ کار می‌کند جزئیات دقیقی را از تئوری آن بداند. ابتدا با تعریف چند اصطلاح که در سراسر کتاب آمده است، شروع می‌کنیم و سپس چند ایده­ ی اساسی که باید درک شود، معرفی می‌کنیم.

این ایده‌های اساسی می‌تواند در پاسخ به چهار پرسش خلاصه شوند.

  1. الکترون زمانی که از نزدیک یک اتم عبور می‌کند، احتمال این­که پراکنده شود چقدر است؟
  2. فاصله میانگین یک الکترون بین پراکندگی ها چه قدر است؟
  3. اگر الکترون‌ها پراکنده شوند، تحت چه زاویه‌ای منحرف می‌شوند؟
  4. آیا پراکندگی باعث از دست رفتن انرژی الکترون می­شود یا نه؟

پاسخ به سؤال اول مربوط به احتمال پراکندگی در ایده­ ی سطح مقطع گنجانده شده است. زاویه پراکنده‌ای (معمولاً از طریق سطح مقطع دیفرانسیلی تعیین می‌شود) نیز مهم است؛ زیرا به شما اجازه کنترل الکترون‌ها در تصویر و آن­چه از اطلاعات در تصویر موجود است، را می‌دهد. درباره این موضوع، زمانی که درباره کنتراست تصویر در قسمت 3 کتاب صحبت می‌کنیم، بیشتر بحث می‌کنیم. سؤال سوم به تعریف مسافت آزاد میانگین نیاز داریم، مفهوم مهمی است که برای نمونه‌های نازک استفاده می‌کنیم.


دانلود با لینک مستقیم


مقاله پراکندگی و پراش

مقاله در مورد الکترون

اختصاصی از فی دوو مقاله در مورد الکترون دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقاله در مورد الکترون


مقاله در مورد الکترون

موضوع:

مقاله در مورد الکترون

( فایل word قابل ویرایش )

تعداد صفحات : 7

در اوایل قرن نوزدهم میلادی شیمیدان انگلیسی هامفری دیدیبه بررسی الکترووولیز شیمیایی یعنی تجزیه مواد در اثر جریان الکتریکی پرداخت .نتیجه این بررسیها دیوی را به این نظریه رهنمون کرد که عناصر یک ترکیب شیمیایی به وسیله پیوندهایی که طبیعت الکتریکی دارند به هم پیوسته اند .رابطه کمی میان مقدار الکتریسیته مصرف شده در یک الکترولیز و اثر شیمیایی الکترولیز در سالهای 1833و1832توسط مایکل فاراده دست پرورده و جانشین دیوی تعیین شد جورج جانستون استونی در سال 1874ضمن تفسیر کارهای فاراده به این نتیجه رسید که واحدهایی از بار المتریکی به اتمها وابسته اند و در 1891پیشنهاد کرد که این واحدها (از واژه ی یونانی به معنی "کهربا"به خاطر اثری که به هنگام مالش در آن پدید می آید) نامیده شوند.

بخش اعظم اطلاعات موجد درباره الکترونها از مطالعه اشعه کاتدی نتیجه شده است .اگر بین دو الکترود در یک محفظه شیشه ای مسدود که تا حد ممکن از هوا تخایه شده است یک ولتاژ قوی برقرار شود از الکترود منفی (کاتد)اشعه ای صادر میشود .این اشعه دارای بار منفی است در امتداد خهط مسقیم سیر می کند و در محل برخورد با دیواره شیشه ای مقابل کاتد موجب تلا لو می شود .

 


دانلود با لینک مستقیم


مقاله در مورد الکترون

تحقیق/مقاله آماده درباره اتم و ویژگی های آن با فرمت ورد(word)

اختصاصی از فی دوو تحقیق/مقاله آماده درباره اتم و ویژگی های آن با فرمت ورد(word) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق/مقاله آماده درباره اتم و ویژگی های آن با فرمت ورد(word)


تحقیق/مقاله آماده درباره اتم و ویژگی های آن با فرمت ورد(word)

اتم ها هم از ترکیب سه ذره ی اصلی به نام های الکترون ( Electron  )، پروتون ( Proton ) و نوترون ( Noutron ) ساخته شده است . الکترون واحد الکتریسته ی منفی ، پروتون واحد الکتریسته مثبت ، و نوترون از لحاظ الکتریکی خنثی است. ترکیب های مختلف ذرات اصلی ، اتم های متفاوتی را به وجود  می آورند . هر جسمی که از تعداد اتم های  همجنس جدا شود ، عنصر یا جسم ساده نامیده می شود. پروتون ها با هم هسته ی اتم را می سازند . الکترون ها روی مداری به دور هسته می چرخند . اتم گاز هیدروژن که ساده ترین اتم هاست تنها یک الکترون دارد و هسته ی آن نیز فقط یک پروتون است . اتم هلیوم Helium گازی که پیش از این برای پرکردن کشتیهای هوایی به کار می رفت ، ساختمانی پیچیده تر دارد . این اتم شامل دو الکترون در مدار و هسته ای مرکب از 2 پروتون و2 نوترون است . اتم کربن که جزء اصلی زغال و مواد معمولی است ، باز هم ساختمان پیچیده تری دارد . این اتم از 6 الکترون به دور هسته ای مرکب از 6 پروتون و 6 نوترون درست شده است . اتم های دیگر بازهم پیچیده ترند . اتم پلاتین (طلای سفید ) فلز گرانبهایی که برای ساختن گوهر و ابزار الکتریکی به کار می رود ، دارای 78 الکترون در مدار است . این الکترون ها در 6 پوسته ، به دور هسته ای که مرکب از 195 پروتون و نوترون می چرخند .


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق/مقاله آماده درباره اتم و ویژگی های آن با فرمت ورد(word)