فی دوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فی دوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

کاربرد نانو سنسورها در بخش لرزه‌نگاری

اختصاصی از فی دوو کاربرد نانو سنسورها در بخش لرزه‌نگاری دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

خلاصه
نانوتکنولوژی به مواد و سیستم‌هایی مربوط می‌شود که ساختار و اجزای آن به دلیل ابعاد نانومتری، خواص، پدیده‌های فیزیکی، شیمیایی و بیولوژیکی، رفتار جدیدی را نشان می‌دهند. مواد دارای اندازه ذره نانومقیاس در حوزه‌ای بین اثرات کوانتومی اتم‌ها و مولکول‌ها و خواص توده قرار می‌گیرند. با توانایی ساخت و کنترل ساختار نانوذرات می‌توان خواص حاصل را تغییر داده و خواص مطلوب را در مواد طراحی کرد. امروزه تاثیرگذاری نانوتکنولوژی بر همه صنایع همچنین صنعت نفت پوشیده نیست. در این مجال بررسی تاثیرگذاری نانوسنسورها برروی بخش لرزه نگاری در صنایع بالادستی نفت ارایه می شود.


دانلود با لینک مستقیم


کاربرد نانو سنسورها در بخش لرزه‌نگاری

گزارش کار آموزی ابزار دقیق و کنترل سیستمهای الکترونیک و سنسورها

اختصاصی از فی دوو گزارش کار آموزی ابزار دقیق و کنترل سیستمهای الکترونیک و سنسورها دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

گزارش کار آموزی ابزار دقیق و کنترل سیستمهای الکترونیک و سنسورها


گزارش کار آموزی ابزار دقیق و کنترل سیستمهای الکترونیک و سنسورها

دانلود گزارش کار آموزی رشته نقشه کشی  ابزار دقیق و کنترل سیستمهای الکترونیک و سنسورها با فرمت ورد و قابل ویرایش تعداد صفحات 108

دانلود کارآموزی آماده

این پروژه کارآموزی بسیار دقیق و کامل طراحی شده و جهت ارائه واحد درسی کارآموزی میباشد

مقدمه :

شاید منظور قرآن از آیات فوق این باشد که انسان یک پدیده مافوق است اما بالفعل یم پدیده مادی، پدیده مافوق بودن انسان او را از خاک به افلاک می رساند و در این مسیر تکامل است که رسالت انسان مشخص می گردد و با خودسازی جهت خویش را پیدا می کند.لذا از آنجاییکه هدف از خلقت بشر تعالی او به سوی کمالات معنوی و رسیدن به ذات اقدس خداوندی است و این کمالات جز با فکر و اندیشه و پا گذاشتن در عرصه علم حاصل نمی گردد لذا برماست که فراگیری علوم را بر خود واجب شماریم و لحظه ای از تحصیل علم غافل نباشیم.کاروان علم بشریت با سرعتی غیر قابل مهار به پیش می رود و دستاوردهای علمی و تکنولوژیک مبین این پیشرفت می باشد. ما نیز که جزیی از کل هستی هستیم باید سهمی هر چند کوچک در این راه ایفا کنیم و گامی در جهت خودکفایی کشور برداریم و در کنار فراگیری علوم تجربی، علوم معنوی خویش را توسعه دهیم و این دو بال را هماهنگ به پرواز درآوریم. در غیر اینصورت تصاد حاصل باعث بی هدف بودن فعالیتها و تلاشها می شود.امروزه وقتی از سیستم کنترل گسترده سخن می گوییم معنایی بس وسیعتر از آنچه در دهه گذشته مدنظر بود، توصیف می شود. اگر نظری آینده نگرانه به آن داشته باشیم، سیستم ها را در گسترده ای می یابیم که از یکسو سنسورها و محرکها و از سوی دیگر سیستمهای فروش، مالی و مدیریتی را برمی گیرند. منطق و نیاز بسیار ساده ای چنین سیستمی را توصیه می کند : جریان وسیع و بدون مانع اطلاعات در سرتاسر یک مجتمع صنعتی یا کارخانه و یا حتی یک مجموعه گسترده از واحدها، با توجه به شرایط رقابت روزافزون حاکم بر بازار، عامل مهمی در موفقیت ارائه محصولات با کیفیت و بها مناسب می باشد.


دانلود با لینک مستقیم


گزارش کار آموزی ابزار دقیق و کنترل سیستمهای الکترونیک و سنسورها

مکان یابی سنسورها جهت نظارت بر سلامتی سازه های پل راه آهن

اختصاصی از فی دوو مکان یابی سنسورها جهت نظارت بر سلامتی سازه های پل راه آهن دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مکان یابی سنسورها جهت نظارت بر سلامتی سازه های پل راه آهن


مکان یابی سنسورها جهت نظارت بر سلامتی سازه های پل راه آهن مقاله با عنوان: مکان یابی سنسورها جهت نظارت بر سلامتی سازه های پل راه آهن
نویسندگان: علی کیهانی ، حامد رمضانی اومالی
محل انتشار: هشتمین کنگره ملی مهندسی عمران - دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل - 17 و 18 اردیبهشت 93
محور: دینامیک سازه
فرمت فایل: PDF و شامل 8 صفحه می باشد.

چکیده:
به کمک نظارت بر سلامتی سازه‌ها می‌توان از ایمنی، سرویس پذیری و عملکرد درست سازه در طول خدمت آن، اطمینان حاصل نموده و در هر لحظه، از وضعیت سازه آگاهی یافته و در صورت وجود آسیب احتمالی، راهکارهایی برای برطرف نمودن آن ارائه نمود. یکی از بخش‌های مهم سیستم نظارت بر سلامتی سازه‌ها، سیستم سنسورها است. با توجه به هزینه‌های مربوط به سنسورها و سیستم‌های اکتساب و پردازش داده‌ها، نمی‌توان تعداد زیادی از سنسورها را برای سیستم نظارت بر سلامتی سازه به کار گرفت. بنابراین حداقل تعداد سنسور را باید به گونه‌ای در سازه به کاربرد تا به توان بیشترین اطلاعات را جهت شناسایی رفتار سازه بدست آورد. تاکنون روش‌های مختلفی جهت مکان‌یابی بهینه سنسورها پیشنهاد شده است که بسیاری از آن‌ها، از شکل‌های مودی سازه جهت بهینه‌یابی بهره می‌گیرند. با توجه به اینکه در پل‌های دهانه کوتاه، جرم قطار در مقایسه با جرم پل قابل صرف نظر کردن نیست، ویژگی‌های دینامیکی سازه و شکل‌های مودی آن مدام در حال تغییر است و روش‌های موجود برای تعیین محل سنسورها قابل کاربرد نمی‌باشد. در این تحقیق روش جدیدی برای مکان‌یابی بهینه سنسورها برای نظارت بر سلامتی سازه‌های پل راه آهن پیشنهاد گردیده است.

** توجه: خواهشمندیم در صورت هرگونه مشکل در روند خرید و دریافت فایل از طریق بخش پشتیبانی در سایت مشکل خود را گزارش دهید. **

دانلود با لینک مستقیم


مکان یابی سنسورها جهت نظارت بر سلامتی سازه های پل راه آهن

دانلود پایان نامه بررسی سنسورها و ترانسدیوسرها و کنترل صنعتی

اختصاصی از فی دوو دانلود پایان نامه بررسی سنسورها و ترانسدیوسرها و کنترل صنعتی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود پایان نامه بررسی سنسورها و ترانسدیوسرها و کنترل صنعتی


دانلود پایان نامه بررسی سنسورها و ترانسدیوسرها و کنترل صنعتی

بررسی سنسورها و ترانسدیوسرها و کنترل صنعتی

 

 

 

 

 

 

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه:365

پروژه پایان تحصیل کارشناسی ناپیوسته

گروه الکترونیک

فهرست مطالب :

فصل 1: کرنش و فشار -----------------------------------------------1

  • کرنش مکانیکی-------------------------------------------2
  • تداخل سنجی---------------------------------------------9
  • روشهای فیبر نوری--------------------------------------13
  • گیجهای فشار--------------------------------------------14
  • فشار گازی کم-------------------------------------------21
  • گیجهای یونیزاسیون--------------------------------------23
  • استفاده از ترانسدیوسر-----------------------------------26

فصل 2: موقعیت ، جهت ، فاصله و حرکت---------------------------28

  • موقعیت ------------------------------------------------29
  • جهت---------------------------------------------------30
  • اندازه گیری فاصله – مقیاس وسیع-----------------------39
  • فاصله پیموده شده---------------------------------------41
  • سیستمهای شتاب سنج----------------------------------50
  • دوران------------------------------------------------56

فصل 3: سنسورهای دما و ترانسدیوسرهای حرارتی----------------68

  • گرما و دما-------------------------------------------69
  • نوار بی متال-----------------------------------------70
  • انبساط مایع و گاز ------------------------------------74
  • ترموکوپلها-------------------------------------------76
  • سنسورهای مقاومت فلزی----------------------------85
  • ترمیستورها-----------------------------------------92
  • تشخیص انرژی گرمایی تابشی-----------------------99
  • آشکارسازهای پایروالکتریک------------------------100
  • ترانسدیوسرهای حرارتی----------------------------103
  • ترانسدیوسرهای حرارتی به الکتریکی---------------105

فصل 4: جامدات ، مایعات و گازها------------------------------108    

  • جرم و حجم----------------------------------------109
  • سنسورهای الکترونیک---------------------------110
  • آشکارسازهای مجاورتی--------------------------115
  • سطح مایعات-------------------------------------130
  • سنسورهای جریان مایع---------------------------133
  • زمان سنجی--------------------------------------137
  • گازها--------------------------------------------141
  • ویسکوزیته (گران روی)--------------------------145

فصل 5: فرآیندها---------------------------------------------174

  • فرآیندهای صنعتی--------------------------------175
  • بررسی رفتارهای کلی فرآیندهای صنعتی----------194
  • روشهای عملی تعیین تابع تبدیل فرآیندها-----------206

فصل 6: کنترل کننده ها--------------------------------------220

  • کنترل کننده ها-----------------------------------221
  • کنترل کننده ها از نظر انرژی محرکه-------------221
  • کنترل کننده ها از نظر قانون کنترل---------------222
  • اصل کلی ایجاد عملیات در کنترل کننده ها-------236
  • کنترل کننده های الکتریکی---------------------237
  • کنترل کننده های بادی--------------------------242
  • کنترل کننده های هیدرولیکی--------------------261
  • انتخاب کنترل کننده ها--------------------------290
  • تنظیم کنترل کننده ها---------------------------294
  • جبرانسازی در سیستمهای کنترل صنعتی--------307

فصل 7: عناصر نهایی و محرک ها-------------------------319

  • شیرها-----------------------------------------321
  • محرک ها-------------------------------------329
  • تثبیت کننده شیر-------------------------------343
  • شیرهای مخصوص----------------------------348
  • تقویت کننده ها---------------------------------353
  • مراجع----------------------------------------- 358

چکیده :

  • کرنش مکانیکی

عبارتهای تنش و کرنش غالباً در موقع استفاده با یکدیگر اشتباه می شوند و بنابراین لازم است در اینجا تعریف روشنی از این در کلمه بیان شود.

کرنش نتیجه تنش است و به صورت تغییر نسبی ابعاد یک شی بیان می شود، بدین معنی که تغیر بعد تقسیم بر بعد اصلی می شود، به گونه ای که به عنوان مثال، از نظر طولی کرنش تغییرات طول تقسیم بر طول اصلی است. این کمیتی است که یک عدد خالص بوده و حاصل تقسیم یک طول بر طول دیگر است و بنابراین دیمانسیون فیزیکی ندارد.

کرنش به روشی مشابه تغییر کمیت تقسیم بر کمیت اصلی را می توان برای اندازه گیری های سطح و یا حجم تعریف کرد به عنوان مثال، کرنش سطح، عبارتست از تغییر سطح تقسیم بر سطح اصلی و کرنش حجم، تغییرات حجم تقسیم بر حجم اصلی است.

در مقابل، تنش، عبارتست از تقسیم مقدار نیرو بر مقدار سطح. همانگونه که درمورد یک سیم و یک میله در تنش کششس و یا فشای ، بهعنوان مثال، تنش کششی عبارت از نیروی وارده تقسیم بر سطحی که نیرو به آن وارد می شود که آن سطح،سطح مقطع سیم و یا میله است. درمورد موادی مانند مایعات و یا گازها، که می توانند در تمام جهات به طور یکنواخت فشرده شوند، تنش کلی نیرو بر واحد سطح است که همان فشار وارده است و کرنش تغییر حجم تقسیم بر حجم اصلی است. عمومی ترین ترانسدیوسرهای کرنش از نوع تنش مکانیکی کششی (Tensile mechanical stress) هستند. اندازه گیری کرنش، اجازه می دهد که مقدار تنش با دانستن مدول الاستیک (Elastic modulus) قابل محاسبه باشد. تعریف هر نوع از ضریب کشسانی کرنش/ تنش است (که دارای واحد تنش است،چون کرنش واحد فیزیکی ندارد) و کاربردی ترین مدول الاستیک ، مدول خطی یانگ ، مدول برشی (پیچش)و مدول بولک (فشار) است.

برای مقادیر کوچک کرنش مقدار کرنش متناسب با تنش است و مدول الاستیک کمیتی است که نسبت کرنش/ تنش را در ناحیه الاستیک، بیان می کند، (قسمتی از نمودار کرنش- تنش که خطی است) به عنوان مثال مدول یانگ نسبت کرنش کششی/ تنش کششی، به طور نمونه برای هر ماده به شکل سیم اندازه گیری می شود (شکل 1-1) روش اندازه گیری کلاسیک، هنوز هم در آزمایشگاه مدارس مورد استفاده قرار می گیرد و درآن از یک زوج سیم بلند استفاده می شود، که یکی از آنها به بار وصل شده و به سیم دیگر یک ورنیه مدرج نصب می شود.

آشکارسازی و تبدیل تنش کششی در برگیرنده اندازه گیری تغییرات خصی کوچک طول یک نمونه است. این به وسیله اثر تغییرات دما، که ایجاد انبساط و یا انقباض می‌کند کامل می شود. برای تغییرات حدود صفر تا 90 درجه سانتیگراد که دمای محیط اطراف ماست، انبساط و انقباض طول در همان حدود اندازه تغییراتی که توسط مقادیر زیادی فشار ایجاد می شود خواهد بود. بنابراین هر سیستمی برای آشکار سازی و اندازه گیری کرنش بایستی به نحوی طراحی شود که اثرات دما بتواند جبران سازی شود.

قوانینی که برای آشکار سازی کرنش خطی و یا سطحی استفاده می شود پیزورزیستیو و پیزو الکتریک نامیده می شوند.

معمول ترین روش اندازه گیری کرنش با استفاده از استرین گیجهای مقاومتی محقق می شود. یکاستریم گیج مقاومتی شامل یک ماده هادی به شکل یک سیم و یا نوار نازک است که به صورتی محکم به مادهای که کرنش

آن بایستی آشکار شود متصل شده است. این ماده ممکن است دیوار یک ساختمان، تیغه یک توربین، قسمتی از یک پل، هر چیزی باشد که درآن تنش اضافی بتواند اغتشاش تهدید کننده ای آشکار کند. محکم کردن ماده مقاومتی معمولاً توسط رزینهای اپوکسی (مانند آرالدیت) انجام میگیرد، چون این مواد بسیار محکم هستند و عایقهای الکتریکی نیز به شمار می روند. سپس نوار استرین گیج به عنوان ییک از بازوهای مدار پلی مقاومتی به مدار وصل می شود (شکل 1-2) این یک مثال در مورد قانون پیزورزیستیو است، چون برای آشکار سازی از تغییر مقاومتی که به دلیل تغییر شکل ساختمان کریستالی ماده حاصل شده است استفاده می شود.

می توان با استفاده از یک استرین گیچ در ثل مقاومتی به طوری که تحت کرنش قرار نگرفته باشد به گونه ای مقایسه ای اثر تغییرات دما را به حداقل رسانید. این اقدام نه تنها به خاطر اینکه ابعاد ماده مورد بررسی در نتیجه تغییرات دما تغیر خواهد کرد بلکه به این دلیل است که خود مقاومت عنصر استرین گیچ نیز تغییر خواهد کرد. با استفاده از دو استرین گیچ یکسان، که یکی از آنها تحت کرنش نباشد، در مدارپل، این تغییرات در مقابل یکدیگر می توانند متعادل شوند و باعث شود تنها تغییرات مربوط به کرنش آشکار شوند. حساسیت این نوع سنجه، که غالباً سنجه پیزورزیستیو نامیده شده، تحت عنوان فاکتور گیج اندازه گیری می شود. این مفهوم به عنوان نسبت تغییرات مقاومت به تغییرات کرنش معرفی می شود و به طور معمول برای سنجه از نوع سیم فلزی در حدود 2 و برای نوع نیمه هادی آن حدود 100 است.

شکل 1-2 استفاده از استرین گیج- (a) شکل فیزیکی یک استرین گیج (b) یک مدار پل اندازه گیری برای استفاده استرین گیج. با استفاده از یک سنجه فعال (تحت کرنش) و یک سنجه غیر فعال (بدون قرار گرفتن تحت کرنش) در یک بازوی پل، چنانچه هر دو گیج به طور یکسان تحت تاثیر دما قرار گیرند، اثرات دما جبران سازی می شود. دو سنجه معمولاً به صورت پهلو به پهلو قرار می گیرند اما تنها یک سنجه به طور محکم به سطح تحت کرنش وصل می شود.

  

همان گونه که اعداد فاکتور در بالا نشان می دهند تغییر مقاومت یک گیج که با استفاده از المنتهای سیم مرسوم ساخته می شوند (که عمدتاً از جنس سین نیکرن نازک هستند) خیلی کوچک است.

به دلیل اینکه مقاومت یک سیم متناسب به طول آن است، تغییرات نسبی مقاومت با تغییرات نسبی طول خواهد بود، بهطوری که تغییرات کمتر از 1/0% قابل آشکارسازی است. چون مقاومت در مقایسه با مقاومت اتصالات در مدار خیلی کوچک باشد و این امر در موقع اندازه گرفتن مقدار کرنشهای کوچک، اندازه گیری را غیر مطمئن سازد. استفاده از نوار نیمه هادی به جای سیم فلزی اندازه گیری را بسیار آسانتر می کند، چون مقاومت چنین نواری به مقدار قابل توجهی بزرگتر خواهد بود و به دنبال آن، تغییرات مقاومت نیز به میزان قابل توجهی می تواند بزرگتر باشد و باستثنای کاربردهایی که درآنها دمای المنت بالا است (به عنوان مثال، تیغه های توربین گازی)، استرین گیج از نوع نیمه هادی ترجیح داده می شود.بستن و ثابت کردن آن همانند نوع فلزی است و ماده نیمه هادی توسط یک لایه غیر فعال محافظ از آلودگی فضای اطراف به وسیله اکسیداسیون روی است و ماده نیمه هادی توسط یک لایه غیر فعال محافظ از آلودگی فضای اطراف به وسیله اکسیداسیون روی سطح محافظت می شود این نکته بسیا ربا اهمیت است، چون اگر اتمسفر اطراف المنت گیج، لایه اکسید را از بین ببرد. آنگاه قرائتهای گیج تحت تاثیر عوامل شیمیایی قرار خواهند گرفت، درست همانگونه که تحت تاثیر کرنش قرار می گیرند و در نتیجه اندازه گیریها قابل اعتماد نخواهند بود.

استرین گیجهای پیزوالکتریک در مواردی که اندازه گیری در مدت زمان کوتاه انجام می شود و یا اینکه مقادیر آنها سریعاً تغییر می کنند مفید هستند. یک ماده پیزوالکتریک، ماده ای است که وقتی کریستال آن تحت کرنش قرار می گیرد، یونهای آن به صورت غیر متقارن حرکت می کنند، به گونه ای که بین دو صفحه کریستال EMF [1] تولید می شود (شکل 1-3) اگر کریستال به مقدار خیلی زیاد تحت کرنش قرار گیرد، می تواند EMF بسیار زیادی، حتی در حدود چند kV[2] ایجاد کند.

و...

NikoFile


دانلود با لینک مستقیم


دانلود پایان نامه بررسی سنسورها و ترانسدیوسرها و کنترل صنعتی

پایان نامه بررسی و ساخت انواع سنسورها و سنسور پارک

اختصاصی از فی دوو پایان نامه بررسی و ساخت انواع سنسورها و سنسور پارک دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پایان نامه بررسی و ساخت انواع سنسورها و سنسور پارک


پایان نامه بررسی و ساخت انواع سنسورها و سنسور پارک

 پایان نامه بررسی و ساخت انواع سنسورها و سنسور پارک 110 صفحه با فرمت ورد (دانلود متن کامل پایان نامه)

عنوان :

 پایان نامه بررسی و ساخت انواع سنسورها و سنسور پارک

 

 

 

 

                                    فهرست

مقدمه ……………………………………………………………………………………………………………………7

فصل 1 : سنسور چیست ؟……………………………………………………………………………………… 8

فصل 2 : تکنیک های تولید سنسور……………………………………………………………………………11

فصل 3 : سنسور سیلیکانی ………………………………………………………………………………………13

3_1 : خواص سیلیکان ……………………………………………………………………………………..15-13

3_2 : مراحل تولید در تکنولوژی سیلیکان……………………………………………………………16-15

3_3 : سنسور درجه حرارت ……………………………………………………………………………………17

3_4 : سنسور درجه حرارت مقاومتی …………………………………………………………………………17

3_5 : سنسور حرارت اینترفیس ………………………………………………………………………………..19

3_6 : سنسورهای حرارتی دیگر و کاربرد آنها……………………………………………………………..20

3_7 : سنسورهای فشار…………………………………………………………………………………………….21

3-8 : اثر پیزو مقاومتی …………………………………………………………………………………………….22

3-9 : سنسورهای فشار پیزو مقاومتی ………………………………………………………………………..23

3_10 : اصول سنسورهای فشار جدید………………………………………………………………………..25

3_11 : سنسورهای نوری …………………………………………………………………………………………26

3_12 : مقاومت های نوری ……………………………………………………………………………………..27

3_13 : دیودهای نوری و ترانزیستورهای نوری…………………………………………………………..28

3-14 : سنسورهای میدان مغناطیسی ………………………………………………………………………….30

فصل 4 : مولدهای هال و مقاومتهای مغناطیسی…………………………………………………………….31

4_1 : کاربردهای ممکن سنسورهای میدان مغناطیسی……………………………………………………32

فصل 5 : سنسورهای میکرومکانیکی …………………………………………………………………………..34

5-1 : سنسورهای شتاب / ارتعاش …………………………………………………………………………….35

5_2 : سنسورهای میکروپل ………………………………………………………………………………………37

فصل 6 : سنسورهای فیبر نوری ………………………………………………………………………………..39

6_1 : ساختمان فیبر ها ……………………………………………………………………………………………40

6_2 : سنسورهای چند حالته ……………………………………………………………………………………41

6_3 : سنسورهای تک حالته …………………………………………………………………………………….44

6_4 : سنسورهای فیبر نوری توزیع شده ……………………………………………………………………46

فصل 7 : سنسورهای شیمیایی ………………………………………………………………………………….52

7_1 : بیو سنسورها ………………………………………………………………………………………………….56

7_2 : سنسورهای رطوبت ………………………………………………………………………………………..58

فصل 8 : سنسورهای رایج و کاربرد آن ………………………………………………………………………60

8_1 : سنسورهای خازنی ………………………………………………………………………………………….60

فصل 9 : سنسور ویگاند…………………………………………………………………………………………….62

فصل 10 : سنسورهای تشدیدی………………………………………………………………………………….66

10_1 : سنسورهای تشدیدی کوارتز……………………………………………………………………………67

10_2 : سنسورهای موج صوتی سطحی ……………………………………………………………………..69

فصل 11 : سنسورهای مافوق صوت …………………………………………………………………………..71

فصل 12 : سنسور پارک ……………………………………………………………………………………………79

12-1: پتاسیومترها …………………………………………………………………………………………………..79

12-2 : خطی بودن پتاسیومترها …………………………………………………………………………………80

12-3 : ریزولوشن پتاسیومترها …………………………………………………………………………………82.

12-4 : مسائل نویزالکتریکی در پتاسیومترها………………………………………………………………..84

12-5 : ترانسدیوسرهای جابه جایی القایی …………………………………………………………………85

12-6 : ترانسدیوسرهای رلوکتانس متغیر……………………………………………………………………..85

12-7 : ترانسفورمورهای تزویج متغیر: LDTوLVDT ………………………………………………89

12-8 : ترانسدیوسرهای تغییرمکان جریان ادی…………………………………………………………… 94

12-9 : ترانسدیوسرهای تغییرمکان خازنی ……………………………………………………………….. 96

12-10 : رفتارخطی ترانسدیوسرهای تغییرمکان خازنی ………………………………………………. 99

12-11: سنسورهای حرکت ازنوع نوری …………………………………………………………………..100

12-12 : ترانسدیوسرهای تغییرمکان اولتراسوند …………………………………………………………101

12-13 : سنسورهای پرآب هال سرعت چرخش وسیتم های بازدارنده

(کمک های پارکینگ ) ………………………………………………………………………………………….104

12-14 : سیستم های اندازه گیری تغییرمکان اثرهال …………………………………………………..105

12-15 : سنسوردوبل پارک ……………………………………………………………………………………106

12-16 : آی سی 555 درمواد ترانسمیتر……………………………………………………………………107

 

 

مقدمه:

امروز وابستگی علوم کامپیوتر، مکانیک و الکترونیک نسبت به هم زیاد شده‌اند و هر مهندس و با محقق نیاز به فراگیری آن‌ها دارد، و لذا چون فراگیری هر سه آنها شکل به نظر می‌رسد حداقل باید یکی از آن‌ها را کاملاً آموخت و از مابقی اطلاعاتی در حد توان فرا گرفت. اینجانب که در رشته مهندسی مکانیک سیالات تحصیل می‌کنم، اهمیت فراگیری علوم مختلف را هر روز بیشتر حس می‌کنم و تصمیم گرفتم به غیر از رشته تحصیلی خود سایر علوم مرتبط با خودرو را محک بزنم. می‌دانیم که سال‌هاست علوم کامپیوتر و الکترونیک با ظهور میکروچیپ‌ها پیشرفت قابل ملاحظه‌ای کرده‌اند و این پیشرفت دامنگیر صنعت خودرو نیز شده است، زیرا امروزه مردم نیاز به آسایش، ایمنی، عملکرد بالا از خودرو خود توقع دارند. از نشانه‌های ظهور الکترونیک و کامپیوتر در خودرو پیدایش سنسورها در انواع مختلف، و سیستم‌های اداره موتور و سایرتجهیزات متعلقه می باشد. این تجهیزات روز و به روز تعدادشان بیشتر و وابستگی علم مکانیک به آن ها بشتر می‌شود. در ادامه سعی دارم نگاهی به تولید وسنسورهای موجود در بازار بیاندازیم و زمینه را برای ساخت یک سنسور پارک مهیا کنم، تا از ابزارهای موجود حداکثر بهره‌ را برده وعملکرد مطلوب ارائه داد.


دانلود با لینک مستقیم


پایان نامه بررسی و ساخت انواع سنسورها و سنسور پارک